Substrat wafer lapisan Epi GaN 200mm 8 inci pada nilam
Pengenalan produk
Substrat GaN-on-Sapphire 8-inci ialah bahan semikonduktor berkualiti tinggi yang terdiri daripada lapisan Galium Nitrida (GaN) yang ditumbuhkan pada substrat Sapphire. Bahan ini menawarkan sifat pengangkutan elektronik yang sangat baik dan sesuai untuk fabrikasi peranti semikonduktor berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.
Kaedah Pembuatan
Proses pembuatan melibatkan pertumbuhan epitaksi lapisan GaN pada substrat Sapphire menggunakan teknik canggih seperti pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) atau epitaksi alur molekul (MBE). Pemendapan dijalankan di bawah keadaan terkawal untuk memastikan kualiti kristal yang tinggi dan keseragaman filem.
Aplikasi
Substrat GaN-on-Sapphire 8-inci menemui aplikasi yang luas dalam pelbagai bidang termasuk komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi tanpa wayar dan optoelektronik. Antara aplikasi biasa termasuk:
1. Penguat kuasa RF
2. Industri pencahayaan LED
3. Peranti komunikasi rangkaian tanpa wayar
4. Peranti elektronik untuk persekitaran suhu tinggi
5. Operanti ptoelektronik
Spesifikasi Produk
-Dimensi: Saiz substrat berdiameter 8 inci (200 mm).
- Kualiti Permukaan: Permukaan digilap sehingga tahap kelicinan yang tinggi dan mempamerkan kualiti seperti cermin yang sangat baik.
- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN boleh disesuaikan berdasarkan keperluan khusus.
- Pembungkusan: Substrat dibungkus dengan teliti dalam bahan anti-statik untuk mengelakkan kerosakan semasa transit.
- Orientasi Rata: Substrat mempunyai orientasi rata khusus untuk membantu penjajaran dan pengendalian wafer semasa proses fabrikasi peranti.
- Parameter lain: Spesifikasi ketebalan, kerintangan dan kepekatan dopan boleh disesuaikan mengikut keperluan pelanggan.
Dengan sifat bahan yang unggul dan aplikasi yang serba boleh, substrat GaN-on-Sapphire 8-inci merupakan pilihan yang andal untuk pembangunan peranti semikonduktor berprestasi tinggi dalam pelbagai industri.
Kecuali GaN-On-Sapphire, kami juga boleh menawarkan dalam bidang aplikasi peranti kuasa, keluarga produk termasuk wafer epitaksi AlGaN/GaN-on-Si 8 inci dan wafer epitaksi AlGaN/GaN-on-Si P-cap 8 inci. Pada masa yang sama, kami menginovasi aplikasi teknologi epitaksi GaN 8 inci termaju kami sendiri dalam bidang gelombang mikro, dan membangunkan wafer epitaksi AlGaN/GAN-on-HR Si 8 inci yang menggabungkan prestasi tinggi dengan saiz besar, kos rendah dan serasi dengan pemprosesan peranti 8 inci standard. Selain galium nitrida berasaskan silikon, kami juga mempunyai rangkaian produk wafer epitaksi AlGaN/GaN-on-SiC untuk memenuhi keperluan pelanggan untuk bahan epitaksi galium nitrida berasaskan silikon.
Gambarajah Terperinci
