GaN 200mm 8 inci pada substrat wafer lapisan Epi nilam
Pengenalan produk
Substrat GaN-on-Sapphire 8-inci ialah bahan semikonduktor berkualiti tinggi yang terdiri daripada lapisan Gallium Nitride (GaN) yang tumbuh bukan substrat Nilam.Bahan ini menawarkan sifat pengangkutan elektronik yang sangat baik dan sesuai untuk fabrikasi peranti semikonduktor berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.
Kaedah Pembuatan
Proses pembuatan melibatkan pertumbuhan epitaxial lapisan GaN pada substrat Nilam menggunakan teknik canggih seperti pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) atau epitaksi rasuk molekul (MBE).Pemendapan dilakukan di bawah keadaan terkawal untuk memastikan kualiti kristal yang tinggi dan keseragaman filem.
Aplikasi
Substrat GaN-on-Sapphire 8-inci menemui aplikasi yang meluas dalam pelbagai bidang termasuk komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi wayarles dan optoelektronik.Beberapa aplikasi biasa termasuk:
1. Penguat kuasa RF
2. industri lampu LED
3. Peranti komunikasi rangkaian wayarles
4. Peranti elektronik untuk persekitaran suhu tinggi
5. Operanti ptoelektronik
Spesifikasi Produk
-Dimensi: Saiz substrat ialah diameter 8 inci (200 mm).
- Kualiti Permukaan: Permukaan digilap ke tahap kelicinan yang tinggi dan mempamerkan kualiti seperti cermin yang sangat baik.
- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN boleh disesuaikan berdasarkan keperluan khusus.
- Pembungkusan: Substrat dibungkus dengan teliti dalam bahan anti-statik untuk mengelakkan kerosakan semasa transit.
- Rata Orientasi: Substrat mempunyai rata orientasi khusus untuk membantu dalam penjajaran dan pengendalian wafer semasa proses fabrikasi peranti.
- Parameter lain: Spesifikasi ketebalan, kerintangan dan kepekatan dopan boleh disesuaikan mengikut keperluan pelanggan.
Dengan sifat bahan yang unggul dan aplikasi serba boleh, substrat GaN-on-Sapphire 8-inci adalah pilihan yang boleh dipercayai untuk pembangunan peranti semikonduktor berprestasi tinggi dalam pelbagai industri.
Kecuali GaN-On-Sapphire, kami juga boleh menawarkan dalam bidang aplikasi peranti kuasa, keluarga produk termasuk wafer epitaxial AlGaN/GaN-on-Si 8 inci dan epitaxial P-cap AlGaN/GaN-on-Si 8 inci wafer.Pada masa yang sama, kami menginovasikan aplikasi teknologi epitaksi GaN 8-inci termaju dalam medan gelombang mikro, dan membangunkan wafer epitaksi AlGaN/GAN-on-HR Si 8-inci yang menggabungkan prestasi tinggi dengan saiz besar, kos rendah dan serasi dengan pemprosesan peranti 8-inci standard.Sebagai tambahan kepada galium nitrida berasaskan silikon, kami juga mempunyai barisan produk wafer epitaxial AlGaN/GaN-on-SiC untuk memenuhi keperluan pelanggan bagi bahan epitaxial galium nitrida berasaskan silikon.
Gambarajah Terperinci
