Pengesan cahaya APD substrat wafer epitaxial 2 inci 3 inci 4 inci InP untuk komunikasi gentian optik atau LiDAR
Ciri-ciri utama lembaran epitaxial laser InP termasuk
1. Ciri-ciri jurang jalur: InP mempunyai jurang jalur yang sempit, yang sesuai untuk pengesanan cahaya inframerah gelombang panjang, terutamanya dalam julat panjang gelombang 1.3μm hingga 1.5μm.
2. Prestasi optik: Filem epitaxial InP mempunyai prestasi optik yang baik, seperti kuasa bercahaya dan kecekapan kuantum luaran pada panjang gelombang yang berbeza. Sebagai contoh, pada 480 nm, kuasa bercahaya dan kecekapan kuantum luaran masing-masing adalah 11.2% dan 98.8%.
3. Dinamik pembawa: InP nanopartikel (NPs) mempamerkan tingkah laku pereputan eksponen berganda semasa pertumbuhan epitaxial. Masa pereputan cepat dikaitkan dengan suntikan pembawa ke dalam lapisan InGaAs, manakala masa pereputan perlahan berkaitan dengan penggabungan semula pembawa dalam NP InP.
4. Ciri-ciri suhu tinggi: Bahan telaga kuantum AlGaInAs/InP mempunyai prestasi cemerlang pada suhu tinggi, yang boleh menghalang kebocoran aliran secara berkesan dan meningkatkan ciri suhu tinggi laser.
5. Proses pembuatan: Lembaran epitaxial InP biasanya ditanam pada substrat dengan teknologi epitaksi rasuk molekul (MBE) atau pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) untuk mencapai filem berkualiti tinggi.
Ciri-ciri ini menjadikan wafer epitaxial laser InP mempunyai aplikasi penting dalam komunikasi gentian optik, pengedaran kunci kuantum dan pengesanan optik jauh.
Aplikasi utama tablet epitaxial laser InP termasuk
1. Fotonik: Laser dan pengesan InP digunakan secara meluas dalam komunikasi optik, pusat data, pengimejan inframerah, biometrik, penderiaan 3D dan LiDAR.
2. Telekomunikasi: Bahan InP mempunyai aplikasi penting dalam penyepaduan berskala besar laser panjang gelombang panjang berasaskan silikon, terutamanya dalam komunikasi gentian optik.
3. Laser inframerah: Aplikasi laser telaga kuantum berasaskan InP dalam jalur inframerah pertengahan (seperti 4-38 mikron), termasuk penderiaan gas, pengesanan bahan letupan dan pengimejan inframerah.
4. Fotonik silikon: Melalui teknologi penyepaduan heterogen, laser InP dipindahkan ke substrat berasaskan silikon untuk membentuk platform penyepaduan optoelektronik silikon pelbagai fungsi.
5.Laser berprestasi tinggi: Bahan InP digunakan untuk mengeluarkan laser berprestasi tinggi, seperti laser transistor InGaAsP-InP dengan panjang gelombang 1.5 mikron.
XKH menawarkan wafer epitaxial InP tersuai dengan struktur dan ketebalan yang berbeza, meliputi pelbagai aplikasi seperti komunikasi optik, penderia, stesen pangkalan 4G/5G, dll. Produk XKH dihasilkan menggunakan peralatan MOCVD termaju untuk memastikan prestasi tinggi dan kebolehpercayaan. Dari segi logistik, XKH mempunyai pelbagai saluran sumber antarabangsa, boleh mengendalikan bilangan pesanan secara fleksibel, dan menyediakan perkhidmatan nilai tambah seperti penipisan, segmentasi, dll. Proses penghantaran yang cekap memastikan penghantaran tepat pada masa dan memenuhi keperluan pelanggan untuk kualiti dan masa penghantaran. Selepas ketibaan, pelanggan boleh mendapatkan sokongan teknikal yang komprehensif dan perkhidmatan selepas jualan untuk memastikan produk digunakan dengan lancar.