Pengesan cahaya APD substrat wafer epitaksi InP 2 inci 3 inci 4 inci untuk komunikasi gentian optik atau LiDAR
Ciri-ciri utama helaian epitaksi laser InP termasuk
1. Ciri-ciri jurang jalur: InP mempunyai jurang jalur yang sempit, yang sesuai untuk pengesanan cahaya inframerah gelombang panjang, terutamanya dalam julat panjang gelombang 1.3μm hingga 1.5μm.
2. Prestasi optik: Filem epitaksi InP mempunyai prestasi optik yang baik, seperti kuasa bercahaya dan kecekapan kuantum luaran pada panjang gelombang yang berbeza. Contohnya, pada 480 nm, kuasa bercahaya dan kecekapan kuantum luaran masing-masing adalah 11.2% dan 98.8%.
3. Dinamik pembawa: Nanopartikel InP (NP) mempamerkan tingkah laku pereputan eksponen berganda semasa pertumbuhan epitaksi. Masa pereputan yang cepat dikaitkan dengan suntikan pembawa ke dalam lapisan InGaAs, manakala masa pereputan yang perlahan berkaitan dengan penggabungan semula pembawa dalam NP InP.
4. Ciri-ciri suhu tinggi: Bahan telaga kuantum AlGaInAs/InP mempunyai prestasi cemerlang pada suhu tinggi, yang berkesan dapat mencegah kebocoran aliran dan meningkatkan ciri-ciri suhu tinggi laser.
5. Proses pembuatan: Lembaran epitaksi InP biasanya ditumbuhkan pada substrat melalui teknologi epitaksi pancaran molekul (MBE) atau pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) untuk mencapai filem berkualiti tinggi.
Ciri-ciri ini menjadikan wafer epitaksi laser InP mempunyai aplikasi penting dalam komunikasi gentian optik, pengedaran kunci kuantum dan pengesanan optik jarak jauh.
Aplikasi utama tablet epitaksi laser InP termasuk
1. Fotonik: Laser dan pengesan InP digunakan secara meluas dalam komunikasi optik, pusat data, pengimejan inframerah, biometrik, penderiaan 3D dan LiDAR.
2. Telekomunikasi: Bahan InP mempunyai aplikasi penting dalam penyepaduan berskala besar laser panjang gelombang panjang berasaskan silikon, terutamanya dalam komunikasi gentian optik.
3. Laser inframerah: Aplikasi laser telaga kuantum berasaskan InP dalam jalur inframerah pertengahan (seperti 4-38 mikron), termasuk pengesanan gas, pengesanan bahan letupan dan pengimejan inframerah.
4. Fotonik silikon: Melalui teknologi penyepaduan heterogen, laser InP dipindahkan ke substrat berasaskan silikon untuk membentuk platform penyepaduan optoelektronik silikon pelbagai fungsi.
5. Laser berprestasi tinggi: Bahan InP digunakan untuk mengeluarkan laser berprestasi tinggi, seperti laser transistor InGaAsP-InP dengan panjang gelombang 1.5 mikron.
XKH menawarkan wafer epitaksi InP tersuai dengan struktur dan ketebalan yang berbeza, meliputi pelbagai aplikasi seperti komunikasi optik, sensor, stesen pangkalan 4G/5G, dan sebagainya. Produk XKH dihasilkan menggunakan peralatan MOCVD canggih untuk memastikan prestasi dan kebolehpercayaan yang tinggi. Dari segi logistik, XKH mempunyai pelbagai saluran sumber antarabangsa, boleh mengendalikan bilangan pesanan secara fleksibel, dan menyediakan perkhidmatan nilai tambah seperti penipisan, segmentasi, dan sebagainya. Proses penghantaran yang cekap memastikan penghantaran tepat pada masanya dan memenuhi keperluan pelanggan untuk kualiti dan masa penghantaran. Selepas ketibaan, pelanggan boleh mendapatkan sokongan teknikal yang komprehensif dan perkhidmatan selepas jualan untuk memastikan produk digunakan dengan lancar.
Gambarajah Terperinci



