Wafer SiC Silicon Carbide 2 inci 50.8mm Doped Si N-jenis Penyelidikan Pengeluaran dan gred Dummy

Wafer SiC Silikon Karbida 50.8mm 2inci Doped Si N-jenis Penyelidikan Pengeluaran dan Imej Pilihan Gred Dummy

Penerangan Ringkas:

Shanghai Xinkehui Tech.Co.,Ltd menawarkan pilihan dan harga terbaik untuk wafer dan substrat silikon karbida berkualiti tinggi sehingga diameter enam inci dengan jenis N- dan separa penebat.Syarikat peranti semikonduktor kecil dan besar serta makmal penyelidikan di seluruh dunia menggunakan dan bergantung pada wafer silikon karbida kami.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Kriteria parametrik untuk wafer SiC tidak didop 2 inci 4H-N termasuk

Bahan substrat: 4H silikon karbida (4H-SiC)

Struktur kristal: tetrahexahedral (4H)

Doping: Tidak Didop (4H-N)

Saiz: 2 inci

Jenis kekonduksian: N-jenis (n-doped)

Kekonduksian: Semikonduktor

Tinjauan Pasaran: Wafer SiC bukan dop 4H-N mempunyai banyak kelebihan, seperti kekonduksian terma yang tinggi, kehilangan pengaliran rendah, rintangan suhu tinggi yang sangat baik, dan kestabilan mekanikal yang tinggi, dan dengan itu mempunyai prospek pasaran yang luas dalam elektronik kuasa dan aplikasi RF.Dengan pembangunan tenaga boleh diperbaharui, kenderaan elektrik dan komunikasi, terdapat peningkatan permintaan untuk peranti dengan kecekapan tinggi, operasi suhu tinggi dan toleransi kuasa tinggi, yang menyediakan peluang pasaran yang lebih luas untuk wafer SiC bukan doped 4H-N.

Kegunaan: Wafer SiC 4H-N tanpa dop 2 inci boleh digunakan untuk membuat pelbagai elektronik kuasa dan peranti RF, termasuk tetapi tidak terhad kepada:

MOSFET 1--4H-SiC: Transistor kesan medan semikonduktor oksida logam untuk aplikasi kuasa tinggi/suhu tinggi.Peranti ini mempunyai kehilangan pengaliran dan pensuisan yang rendah untuk memberikan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih tinggi.

JFET 2--4H-SiC: FET Persimpangan untuk penguat kuasa RF dan aplikasi pensuisan.Peranti ini menawarkan prestasi frekuensi tinggi dan kestabilan haba yang tinggi.

3--4H-SiC Schottky Diod: Diod untuk aplikasi kuasa tinggi, suhu tinggi, frekuensi tinggi.Peranti ini menawarkan kecekapan tinggi dengan kehilangan pengaliran dan pensuisan yang rendah.

Peranti Optoelektronik 4--4H-SiC: Peranti yang digunakan dalam kawasan seperti diod laser kuasa tinggi, pengesan UV dan litar bersepadu optoelektronik.Peranti ini mempunyai ciri kuasa dan frekuensi tinggi.

Ringkasnya, wafer SiC bukan doped 4H-N 2 inci mempunyai potensi untuk pelbagai aplikasi, terutamanya dalam elektronik kuasa dan RF.Prestasi unggul dan kestabilan suhu tinggi menjadikan mereka pesaing yang kuat untuk menggantikan bahan silikon tradisional untuk aplikasi berprestasi tinggi, suhu tinggi dan berkuasa tinggi.