Wafer Silikon Karbida Separa Penebat Sic Substrat (HPSl) Ketulenan Tinggi 3 inci (Tidak Didop)
Hartanah
1. Sifat Fizikal dan Struktur
●Jenis Bahan: Karbida Silikon (SiC) Ketulenan Tinggi (Tidak Didop)
●Diameter: 3 inci (76.2 mm)
●Ketebalan: 0.33-0.5 mm, boleh disesuaikan berdasarkan keperluan aplikasi.
●Struktur Kristal: Politaip 4H-SiC dengan kekisi heksagon, terkenal dengan mobiliti elektron yang tinggi dan kestabilan terma.
●Orientasi:
oStandard: [0001] (satah C), sesuai untuk pelbagai aplikasi.
oPilihan: Luar paksi (4° atau 8° condong) untuk pertumbuhan epitaxial yang dipertingkatkan lapisan peranti.
●Kerataan: Jumlah variasi ketebalan (TTV) ●Kualiti Permukaan:
oDigilap kepada oKetumpatan kecacatan rendah (<10/cm² ketumpatan paip mikro). 2. Sifat Elektrik ●Kerintangan: >109^99 Ω·cm, dikekalkan dengan penyingkiran dopan yang disengajakan.
●Kekuatan Dielektrik: Ketahanan voltan tinggi dengan kehilangan dielektrik yang minimum, sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi.
●Konduktiviti Terma: 3.5-4.9 W/cm·K, membolehkan pelesapan haba yang berkesan dalam peranti berprestasi tinggi.
3. Sifat Terma dan Mekanikal
●Wide Bandgap: 3.26 eV, menyokong operasi di bawah voltan tinggi, suhu tinggi dan keadaan sinaran tinggi.
●Kekerasan: Skala Mohs 9, memastikan keteguhan terhadap haus mekanikal semasa pemprosesan.
●Pekali Pengembangan Terma: 4.2×10−6/K4.2 \kali 10^{-6}/\text{K}4.2×10−6/K, memastikan kestabilan dimensi di bawah variasi suhu.
| Parameter | Gred Pengeluaran | Gred Penyelidikan | Gred Dummy | Unit |
| Gred | Gred Pengeluaran | Gred Penyelidikan | Gred Dummy | |
| Diameter | 76.2 ± 0.5 | 76.2 ± 0.5 | 76.2 ± 0.5 | mm |
| Ketebalan | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Orientasi Wafer | Pada paksi: <0001> ± 0.5° | Pada paksi: <0001> ± 2.0° | Pada paksi: <0001> ± 2.0° | ijazah |
| Ketumpatan Mikropaip (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Kerintangan Elektrik | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dopan | Dinyahdop | Dinyahdop | Dinyahdop | |
| Orientasi Rata Utama | {1-100} ± 5.0° | {1-100} ± 5.0° | {1-100} ± 5.0° | ijazah |
| Panjang Rata Utama | 32.5 ± 3.0 | 32.5 ± 3.0 | 32.5 ± 3.0 | mm |
| Panjang Rata Sekunder | 18.0 ± 2.0 | 18.0 ± 2.0 | 18.0 ± 2.0 | mm |
| Orientasi Rata Menengah | 90° CW dari flat primer ± 5.0° | 90° CW dari flat primer ± 5.0° | 90° CW dari flat primer ± 5.0° | ijazah |
| Pengecualian Edge | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | µm |
| Kekasaran Permukaan | Muka-Si: CMP, Muka-C: Digilap | Muka-Si: CMP, Muka-C: Digilap | Muka-Si: CMP, Muka-C: Digilap | |
| Retak (Cahaya Keamatan Tinggi) | tiada | tiada | tiada | |
| Plat Hex (Cahaya Keamatan Tinggi) | tiada | tiada | Kawasan kumulatif 10% | % |
| Kawasan Politaip (Cahaya Berintensiti Tinggi) | Kawasan kumulatif 5% | Kawasan kumulatif 20% | Kawasan kumulatif 30% | % |
| Calar (Cahaya Berintensiti Tinggi) | ≤ 5 calar, panjang terkumpul ≤ 150 | ≤ 10 calar, panjang kumulatif ≤ 200 | ≤ 10 calar, panjang kumulatif ≤ 200 | mm |
| Cincang Tepi | Tiada ≥ 0.5 mm lebar/dalam | 2 dibenarkan ≤ 1 mm lebar/dalam | 5 dibenarkan ≤ 5 mm lebar/dalam | mm |
| Pencemaran Permukaan | tiada | tiada | tiada |
Aplikasi
1. Elektronik Kuasa
Jurang jalur lebar dan kekonduksian terma yang tinggi bagi substrat HPSI SiC menjadikannya sesuai untuk peranti kuasa yang beroperasi dalam keadaan yang melampau, seperti:
●Peranti Voltan Tinggi: Termasuk MOSFET, IGBT dan Schottky Barrier Diod (SBD) untuk penukaran kuasa yang cekap.
●Sistem Tenaga Boleh Diperbaharui: Seperti penyongsang suria dan pengawal turbin angin.
●Kenderaan Elektrik (EV): Digunakan dalam penyongsang, pengecas dan sistem rangkaian kuasa untuk meningkatkan kecekapan dan mengurangkan saiz.
2. Aplikasi RF dan Microwave
Kerintangan tinggi dan kehilangan dielektrik rendah wafer HPSI adalah penting untuk sistem frekuensi radio (RF) dan gelombang mikro, termasuk:
●Infrastruktur Telekomunikasi: Stesen pangkalan untuk rangkaian 5G dan komunikasi satelit.
●Aeroangkasa dan Pertahanan: Sistem radar, antena tatasusunan berfasa dan komponen avionik.
3. Optoelektronik
Ketelusan dan jurang jalur lebar 4H-SiC membolehkan penggunaannya dalam peranti optoelektronik, seperti:
●UV Photodetectors: Untuk pemantauan alam sekitar dan diagnostik perubatan.
●LED Kuasa Tinggi: Menyokong sistem pencahayaan keadaan pepejal.
●Diod Laser: Untuk aplikasi industri dan perubatan.
4. Penyelidikan dan Pembangunan
Substrat SiC HPSI digunakan secara meluas dalam makmal R&D akademik dan industri untuk meneroka sifat bahan termaju dan fabrikasi peranti, termasuk:
●Pertumbuhan Lapisan Epitaxial: Kajian tentang pengurangan kecacatan dan pengoptimuman lapisan.
●Kajian Mobiliti Pembawa: Penyiasatan pengangkutan elektron dan lubang dalam bahan ketulenan tinggi.
●Prototaip: Pembangunan awal peranti dan litar baharu.
Kelebihan
Kualiti Unggul:
Ketulenan tinggi dan ketumpatan kecacatan rendah menyediakan platform yang boleh dipercayai untuk aplikasi lanjutan.
Kestabilan Terma:
Ciri pelesapan haba yang sangat baik membolehkan peranti beroperasi dengan cekap di bawah keadaan kuasa dan suhu tinggi.
Keserasian Luas:
Orientasi yang tersedia dan pilihan ketebalan tersuai memastikan kebolehsuaian untuk pelbagai keperluan peranti.
Ketahanan:
Kekerasan yang luar biasa dan kestabilan struktur meminimumkan haus dan ubah bentuk semasa pemprosesan dan operasi.
serba boleh:
Sesuai untuk pelbagai industri, daripada tenaga boleh diperbaharui kepada aeroangkasa dan telekomunikasi.
Kesimpulan
Wafer Silikon Karbida Separa Penebat Tinggi Ketulenan Tinggi 3 inci mewakili kemuncak teknologi substrat untuk peranti berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dan optoelektronik. Gabungan sifat terma, elektrik dan mekanikal yang sangat baik memastikan prestasi yang boleh dipercayai dalam persekitaran yang mencabar. Daripada elektronik kuasa dan sistem RF kepada optoelektronik dan R&D lanjutan, substrat HPSI ini menyediakan asas untuk inovasi masa depan.
Untuk maklumat lanjut atau membuat pesanan, sila hubungi kami. Pasukan teknikal kami tersedia untuk memberikan panduan dan pilihan penyesuaian yang disesuaikan dengan keperluan anda.
Gambarajah Terperinci
