Wafer Silikon Karbida Ketulenan Tinggi 3 inci (Tidak Didop) Substrat Sic Separa Penebat (HPSl)

Penerangan Ringkas:

Wafer Silikon Karbida (SiC) Separa Penebat Ketulenan Tinggi (HPSI) 3-inci ialah substrat gred premium yang dioptimumkan untuk aplikasi berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dan optoelektronik. Dikilangkan dengan bahan 4H-SiC ketulenan tinggi tanpa dop, wafer ini mempamerkan kekonduksian terma yang sangat baik, jurang jalur yang luas dan sifat separa penebat yang luar biasa, menjadikannya sangat diperlukan untuk pembangunan peranti termaju. Dengan integriti struktur dan kualiti permukaan yang unggul, substrat HPSI SiC berfungsi sebagai asas untuk teknologi generasi akan datang dalam industri elektronik kuasa, telekomunikasi dan aeroangkasa, menyokong inovasi merentasi pelbagai bidang.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Hartanah

1. Sifat Fizikal dan Struktur
●Jenis Bahan: Silikon Karbida (SiC) Ketulenan Tinggi (Tidak Didop)
●Diameter: 3 inci (76.2 mm)
●Ketebalan: 0.33-0.5 mm, boleh disesuaikan berdasarkan keperluan aplikasi.
●Struktur Kristal: Politaip 4H-SiC dengan kekisi heksagon, yang dikenali kerana mobiliti elektron yang tinggi dan kestabilan terma.
●Orientasi:
oStandard: [0001] (satah-C), sesuai untuk pelbagai aplikasi.
oPilihan: Luar paksi (kecondongan 4° atau 8°) untuk pertumbuhan epitaksi lapisan peranti yang dipertingkatkan.
●Kerataan: Variasi ketebalan keseluruhan (TTV) ●Kualiti Permukaan:
oDigilap kepada oKetumpatan kecacatan rendah (ketumpatan mikropaip <10/cm²). 2. Sifat Elektrik ●Kerintangan: >109^99 Ω·cm, dikekalkan dengan penyingkiran dopan yang disengajakan.
●Kekuatan Dielektrik: Ketahanan voltan tinggi dengan kehilangan dielektrik yang minimum, sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi.
●Kekonduksian Terma: 3.5-4.9 W/cm·K, membolehkan pelesapan haba yang berkesan dalam peranti berprestasi tinggi.

3. Sifat Terma dan Mekanikal
●Jurang Jalur Lebar: 3.26 eV, menyokong operasi di bawah voltan tinggi, suhu tinggi dan keadaan sinaran tinggi.
●Kekerasan: Skala Mohs 9, memastikan ketahanan terhadap haus mekanikal semasa pemprosesan.
●Pekali Pengembangan Terma: 4.2×10−6/K4.2 \times 10^{-6}/\text{K}4.2×10−6/K, memastikan kestabilan dimensi di bawah variasi suhu.

Parameter	Gred Pengeluaran	Gred Penyelidikan	Gred Dummy	Unit
Gred	Gred Pengeluaran	Gred Penyelidikan	Gred Dummy
Diameter	76.2 ± 0.5	76.2 ± 0.5	76.2 ± 0.5	mm
Ketebalan	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Orientasi Wafer	Pada paksi: ± 0.5°	Pada paksi: ± 2.0°	Pada paksi: ± 2.0°	ijazah
Ketumpatan Mikropaip (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Kerintangan Elektrik	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopan	Tidak didop	Tidak didop	Tidak didop
Orientasi Rata Utama	{1-100} ± 5.0°	{1-100} ± 5.0°	{1-100} ± 5.0°	ijazah
Panjang Rata Utama	32.5 ± 3.0	32.5 ± 3.0	32.5 ± 3.0	mm
Panjang Rata Sekunder	18.0 ± 2.0	18.0 ± 2.0	18.0 ± 2.0	mm
Orientasi Rata Sekunder	90° CW dari aras primer ± 5.0°	90° CW dari aras primer ± 5.0°	90° CW dari aras primer ± 5.0°	ijazah
Pengecualian Tepi	3	3	3	mm
LTV/TTV/Busur/Lingkup	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	µm
Kekasaran Permukaan	Si-muka: CMP, C-muka: Digilap	Si-muka: CMP, C-muka: Digilap	Si-muka: CMP, C-muka: Digilap
Retakan (Cahaya Berintensiti Tinggi)	Tiada	Tiada	Tiada
Plat Heks (Cahaya Berintensiti Tinggi)	Tiada	Tiada	Kawasan kumulatif 10%	%
Kawasan Politaip (Cahaya Berintensiti Tinggi)	Kawasan kumulatif 5%	Kawasan kumulatif 20%	Kawasan kumulatif 30%	%
Calar (Cahaya Berintensiti Tinggi)	≤ 5 calar, panjang kumulatif ≤ 150	≤ 10 calar, panjang kumulatif ≤ 200	≤ 10 calar, panjang kumulatif ≤ 200	mm
Keratan Tepi	Tiada ≥ 0.5 mm lebar/kedalaman	2 dibenarkan ≤ 1 mm lebar/kedalaman	5 dibenarkan ≤ 5 mm lebar/kedalaman	mm
Pencemaran Permukaan	Tiada	Tiada	Tiada

Aplikasi

1. Elektronik Kuasa
Jurang jalur yang luas dan kekonduksian terma yang tinggi bagi substrat HPSI SiC menjadikannya sesuai untuk peranti kuasa yang beroperasi dalam keadaan yang ekstrem, seperti:
●Peranti Voltan Tinggi: Termasuk MOSFET, IGBT dan Diod Penghalang Schottky (SBD) untuk penukaran kuasa yang cekap.
●Sistem Tenaga Boleh Diperbaharui: Seperti penyongsang solar dan pengawal turbin angin.
●Kenderaan Elektrik (EV): Digunakan dalam penyongsang, pengecas dan sistem rangkaian kuasa untuk meningkatkan kecekapan dan mengurangkan saiz.

2. Aplikasi RF dan Ketuhar Gelombang Mikro
Kerintangan yang tinggi dan kehilangan dielektrik wafer HPSI yang rendah adalah penting untuk sistem frekuensi radio (RF) dan gelombang mikro, termasuk:
●Infrastruktur Telekomunikasi: Stesen pangkalan untuk rangkaian 5G dan komunikasi satelit.
●Aeroangkasa dan Pertahanan: Sistem radar, antena tatasusunan berfasa dan komponen avionik.

3. Optoelektronik
Ketelusan dan jurang jalur yang luas bagi 4H-SiC membolehkan penggunaannya dalam peranti optoelektronik, seperti:
●Pengesan Foto UV: Untuk pemantauan alam sekitar dan diagnostik perubatan.
●LED Kuasa Tinggi: Menyokong sistem pencahayaan keadaan pepejal.
●Diod Laser: Untuk aplikasi perindustrian dan perubatan.

4. Penyelidikan dan Pembangunan
Substrat HPSI SiC digunakan secara meluas dalam makmal R&D akademik dan perindustrian untuk meneroka sifat bahan termaju dan fabrikasi peranti, termasuk:
●Pertumbuhan Lapisan Epiaksial: Kajian tentang pengurangan kecacatan dan pengoptimuman lapisan.
●Kajian Mobiliti Pembawa: Penyiasatan pengangkutan elektron dan lubang dalam bahan berketulenan tinggi.
●Prototaip: Pembangunan awal peranti dan litar baharu.

Kelebihan

Kualiti Unggul:
Ketulenan tinggi dan ketumpatan kecacatan yang rendah menyediakan platform yang boleh dipercayai untuk aplikasi lanjutan.

Kestabilan Terma:
Ciri-ciri pelesapan haba yang sangat baik membolehkan peranti beroperasi dengan cekap di bawah keadaan kuasa dan suhu yang tinggi.

Keserasian Luas:
Orientasi yang tersedia dan pilihan ketebalan tersuai memastikan kebolehsuaian untuk pelbagai keperluan peranti.

Ketahanan:
Kekerasan dan kestabilan struktur yang luar biasa meminimumkan haus dan ubah bentuk semasa pemprosesan dan operasi.

Kebolehgunaan:
Sesuai untuk pelbagai industri, daripada tenaga boleh diperbaharui hingga aeroangkasa dan telekomunikasi.

Kesimpulan

Wafer Silikon Karbida Separa Penebat Ketulenan Tinggi 3 inci mewakili kemuncak teknologi substrat untuk peranti berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dan optoelektronik. Gabungan sifat terma, elektrik dan mekanikal yang sangat baik memastikan prestasi yang andal dalam persekitaran yang mencabar. Daripada elektronik kuasa dan sistem RF kepada optoelektronik dan R&D termaju, substrat HPSI ini menyediakan asas untuk inovasi masa hadapan.
Untuk maklumat lanjut atau untuk membuat pesanan, sila hubungi kami. Pasukan teknikal kami sedia memberikan panduan dan pilihan penyesuaian yang disesuaikan dengan keperluan anda.