3 inci 76.2mm 4H-Semi SiC wafer substrat Silicon Carbide Wafer SiC separa menghina

3inci 76.2mm 4H-Semi SiC wafer substrat Silikon Karbida Wafer SiC separa menghina Imej Pilihan

Penerangan ringkas:

Wafer SiC kristal tunggal berkualiti tinggi ( Silicon Carbide ) kepada industri elektronik dan optoelektronik. Wafer SiC 3 inci ialah bahan semikonduktor generasi akan datang, wafer silikon-karbida separuh penebat diameter 3 inci. Wafer bertujuan untuk fabrikasi peranti kuasa, RF dan optoelektronik.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Penerangan

Wafer substrat SiC (silikon karbida) 3 inci 4H separa terlindung ialah bahan semikonduktor yang biasa digunakan. 4H menunjukkan struktur kristal tetrahexahedral. Separa penebat bermakna substrat mempunyai ciri rintangan yang tinggi dan boleh agak diasingkan daripada aliran arus.

Wafer substrat tersebut mempunyai ciri-ciri berikut: kekonduksian haba yang tinggi, kehilangan pengaliran rendah, rintangan suhu tinggi yang sangat baik, dan kestabilan mekanikal dan kimia yang sangat baik. Oleh kerana silikon karbida mempunyai jurang tenaga yang luas dan boleh menahan suhu tinggi dan keadaan medan elektrik yang tinggi, wafer separa penebat 4H-SiC digunakan secara meluas dalam elektronik kuasa dan peranti frekuensi radio (RF).

Aplikasi utama wafer separa terlindung 4H-SiC termasuk:

1--Elektronik kuasa: Wafer 4H-SiC boleh digunakan untuk mengeluarkan peranti pensuisan kuasa seperti MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan diod Schottky. Peranti ini mempunyai kehilangan pengaliran dan pensuisan yang lebih rendah dalam persekitaran voltan tinggi dan suhu tinggi serta menawarkan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih tinggi.

2--Peranti Frekuensi Radio (RF): Wafer separa penebat 4H-SiC boleh digunakan untuk menghasilkan kuasa tinggi, penguat kuasa RF frekuensi tinggi, perintang cip, penapis dan peranti lain. Silikon karbida mempunyai prestasi frekuensi tinggi yang lebih baik dan kestabilan terma kerana kadar hanyutan tepu elektron yang lebih besar dan kekonduksian terma yang lebih tinggi.

3--Peranti optoelektronik: Wafer separa penebat 4H-SiC boleh digunakan untuk mengeluarkan diod laser berkuasa tinggi, pengesan cahaya UV dan litar bersepadu optoelektronik.

Dari segi hala tuju pasaran, permintaan untuk wafer separa penebat 4H-SiC semakin meningkat dengan semakin berkembangnya bidang elektronik kuasa, RF dan optoelektronik. Ini disebabkan oleh fakta bahawa silikon karbida mempunyai pelbagai aplikasi, termasuk kecekapan tenaga, kenderaan elektrik, tenaga boleh diperbaharui dan komunikasi. Pada masa hadapan, pasaran untuk wafer separuh terlindung 4H-SiC kekal sangat menjanjikan dan dijangka menggantikan bahan silikon konvensional dalam pelbagai aplikasi.