Templat AlN 50.8mm/100mm pada templat NPSS/FSS AlN pada nilam

Templat AlN 50.8mm/100mm pada Templat AlN NPSS/FSS pada nilam Imej Pilihan

Penerangan ringkas:

AlN-On-Sapphire merujuk kepada gabungan bahan di mana filem aluminium nitrida ditanam pada substrat Nilam. Dalam struktur ini, filem nitrida aluminium berkualiti tinggi boleh ditanam dengan pemendapan wap kimia (CVD) atau pemendapan wap kimia organometrik (MOCVD), yang menjadikan filem nitrida aluminium dan substrat nilam mempunyai gabungan yang baik. Kelebihan struktur ini ialah aluminium nitrida mempunyai kekonduksian haba yang tinggi, kestabilan kimia yang tinggi dan sifat optik yang sangat baik, manakala substrat nilam mempunyai sifat mekanikal dan haba yang sangat baik dan ketelusan.

Hantar e-mel kepada kami

Ciri-ciri

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire boleh digunakan untuk membuat pelbagai peranti fotoelektrik, seperti:
1. Cip LED: Cip LED biasanya diperbuat daripada filem aluminium nitrida dan bahan lain. Kecekapan dan kestabilan led boleh dipertingkatkan dengan menggunakan wafer AlN-On-Sapphire sebagai substrat cip LED.
2. Laser: Wafer AlN-On-Sapphire juga boleh digunakan sebagai substrat untuk laser, yang biasanya digunakan dalam perubatan, komunikasi dan pemprosesan bahan.
3. Sel suria: Pembuatan sel suria memerlukan penggunaan bahan seperti aluminium nitrida. AlN-On-Sapphire sebagai substrat boleh meningkatkan kecekapan dan hayat sel suria.
4. Peranti optoelektronik lain: Wafer AlN-On-Sapphire juga boleh digunakan untuk mengeluarkan pengesan foto, peranti optoelektronik dan peranti optoelektronik lain.

Kesimpulannya, wafer AlN-On-Sapphire digunakan secara meluas dalam medan opto-elektrik kerana kekonduksian terma yang tinggi, kestabilan kimia yang tinggi, kehilangan yang rendah dan sifat optik yang sangat baik.

Templat AlN 50.8mm/100mm pada NPSS/FSS

item	Teguran
Penerangan	Templat AlN-on-NPSS	Templat AlN-on-FSS
Diameter wafer	50.8mm, 100mm
Substrat	NPSS satah c	c-planar Sapphire (FSS)
Ketebalan substrat	50.8mm, 100mmc-planar Sapphire (FSS)100mm : 650 um
Ketebalan lapisan epi AIN	3~4 um (sasaran: 3.3um)
Kekonduksian	penebat
Permukaan	Seperti yang dibesarkan
	RMS<1nm	RMS<2nm
Bahagian belakang	dikisar
FWHM(002)XRC	< 150 lengkok	< 150 lengkok
FWHM(102)XRC	< 300 arcsec	< 300 arcsec
Pengecualian Edge	< 2mm	< 3mm
Orientasi rata utama	a-satah+0.1°
Panjang rata utama	50.8mm: 16+/-1 mm 100mm: 30+/-1 mm
Pakej	Dibungkus dalam kotak penghantaran atau bekas wafer tunggal