Wafer SiC Silicon Carbide 6 inci 150mm jenis 4H-N untuk Penyelidikan Pengeluaran MOS atau SBD dan gred Dummy

Wafer SiC Silicon Carbide 6 inci 150mm jenis 4H-N untuk Penyelidikan Pengeluaran MOS atau SBD dan Imej Pilihan gred Dummy

Penerangan ringkas:

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci adalah bahan berprestasi tinggi dengan sifat fizikal dan kimia yang sangat baik. Dihasilkan daripada bahan kristal tunggal silikon karbida ketulenan tinggi, ia mempamerkan kekonduksian haba yang unggul, kestabilan mekanikal dan rintangan suhu tinggi. Substrat ini, dibuat dengan proses pembuatan ketepatan dan bahan berkualiti tinggi, telah menjadi bahan pilihan untuk fabrikasi peranti elektronik berkecekapan tinggi dalam pelbagai bidang.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Medan Aplikasi

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci memainkan peranan penting dalam pelbagai industri. Pertama, ia digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor untuk fabrikasi peranti elektronik berkuasa tinggi seperti transistor kuasa, litar bersepadu dan modul kuasa. Kekonduksian haba yang tinggi dan rintangan suhu tinggi membolehkan pelesapan haba yang lebih baik, menghasilkan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih baik. Kedua, wafer silikon karbida adalah penting dalam bidang penyelidikan untuk pembangunan bahan dan peranti baharu. Selain itu, wafer silikon karbida menemui aplikasi yang meluas dalam bidang optoelektronik, termasuk pembuatan LED dan diod laser.

Spesifikasi Produk

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci mempunyai diameter 6 inci (kira-kira 152.4 mm). Kekasaran permukaan ialah Ra < 0.5 nm, dan ketebalannya ialah 600 ± 25 μm. Substrat boleh disesuaikan dengan sama ada kekonduksian jenis-N atau jenis-P, berdasarkan keperluan pelanggan. Selain itu, ia mempamerkan kestabilan mekanikal yang luar biasa, mampu menahan tekanan dan getaran.

Diameter		150±2.0mm（6inci）
Ketebalan		350 μm±25μm
Orientasi		Pada paksi ： <0001>±0.5°		Paksi luar：4.0° ke arah 1120±0.5°
Politaip		4H
Kerintangan(Ω·cm)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientasi rata utama		{10-10}±5.0°
Panjang rata utama (mm)		47.5 mm±2.5 mm
Tepi		Chamfer
TTV/Bow /Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM Depan (Si-muka)		Poland Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Kulit oren/lubang/retak/kontaminasi/noda/jalur		tiada	tiada		tiada
inden		tiada	tiada		tiada

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci ialah bahan berprestasi tinggi yang digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor, penyelidikan dan optoelektronik. Ia menawarkan kekonduksian haba yang sangat baik, kestabilan mekanikal dan rintangan suhu tinggi, menjadikannya sesuai untuk fabrikasi peranti elektronik berkuasa tinggi dan penyelidikan bahan baharu. Kami menyediakan pelbagai spesifikasi dan pilihan penyesuaian untuk memenuhi permintaan pelanggan yang pelbagai.Hubungi kami untuk butiran lanjut tentang wafer silikon karbida!