Wafer Litium Niobate 8 Inci LiNbO3 LN wafer
Maklumat Terperinci
| Diameter | 200±0.2mm |
| kerataan utama | 57.5mm, Takuk |
| Orientasi | Potongan 128Y, Potongan X, Potongan Z |
| Ketebalan | 0.5±0.025mm, 1.0±0.025mm |
| Permukaan | DSP dan SSP |
| TTV | < 5µm |
| BUSU | ± (20µm ~40um) |
| Meledingkan | <= 20µm ~ 50µm |
| LTV (5mmx5mm) | <1.5 um |
| PLTV (<0.5um) | ≥98% (5mm * 5mm) dengan tepi 2mm dikecualikan |
| Ra | Ra<=5A |
| Gores & Gali (S/D) | 20/10, 40/20, 60/40 |
| Tepi | Temui SEMI M1.2@dengan GC800#. biasa pada jenis C |
Spesifikasi khusus
Diameter: 8 inci (lebih kurang 200mm)
Ketebalan: Ketebalan standard biasa adalah antara 0.5mm hingga 1mm. Ketebalan lain boleh disesuaikan mengikut keperluan khusus
Orientasi kristal: Orientasi kristal biasa utama ialah orientasi kristal potongan 128Y, potongan Z dan potongan X, dan orientasi kristal lain boleh disediakan bergantung pada aplikasi khusus.
Kelebihan Saiz: Wafer ikan kap serrata 8 inci mempunyai beberapa kelebihan saiz berbanding wafer yang lebih kecil:
Kawasan yang lebih besar: Berbanding dengan wafer 6 inci atau 4 inci, wafer 8 inci menyediakan luas permukaan yang lebih besar dan boleh menampung lebih banyak peranti dan litar bersepadu, menghasilkan peningkatan kecekapan dan hasil pengeluaran.
Ketumpatan yang lebih tinggi: Dengan menggunakan wafer 8 inci, lebih banyak peranti dan komponen dapat direalisasikan di kawasan yang sama, meningkatkan integrasi dan ketumpatan peranti, yang seterusnya meningkatkan prestasi peranti.
Ketekalan yang lebih baik: Wafer yang lebih besar mempunyai ketekalan yang lebih baik dalam proses pengeluaran, membantu mengurangkan kebolehubahan dalam proses pembuatan dan meningkatkan kebolehpercayaan dan ketekalan produk.
Wafer L dan LN 8 inci mempunyai diameter yang sama seperti wafer silikon arus perdana dan mudah dilekatkan. Sebagai bahan "penapis SAW bersambung" berprestasi tinggi yang boleh mengendalikan jalur frekuensi tinggi.
Gambarajah Terperinci





