Substrat tuntutan semula dummy wafer silikon jenis-P/N (100) 1-100Ω 8 inci

Substrat tuntutan semula dummy wafer silikon 8 inci jenis P/N (100) 1-100Ω Imej Pilihan

Penerangan Ringkas:

Inventori besar wafer digilap dua sisi, semua wafer berdiameter 50 hingga 400mm. Jika spesifikasi anda tidak tersedia dalam inventori kami, kami telah menjalin hubungan jangka panjang dengan banyak pembekal yang mampu membuat wafer tersuai agar sesuai dengan sebarang spesifikasi unik. Wafer digilap dua sisi boleh digunakan untuk silikon, kaca dan bahan lain yang biasa digunakan dalam industri semikonduktor.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Memperkenalkan kotak wafer

Wafer silikon 8 inci merupakan bahan substrat silikon yang biasa digunakan dan digunakan secara meluas dalam proses pembuatan litar bersepadu. Wafer silikon sedemikian biasanya digunakan untuk membuat pelbagai jenis litar bersepadu, termasuk mikropemproses, cip memori, sensor dan peranti elektronik lain. Wafer silikon 8 inci biasanya digunakan untuk membuat cip bersaiz agak besar, dengan kelebihan termasuk luas permukaan yang lebih besar dan keupayaan untuk membuat lebih banyak cip pada satu wafer silikon, yang membawa kepada peningkatan kecekapan pengeluaran. Wafer silikon 8 inci juga mempunyai sifat mekanikal dan kimia yang baik, yang sesuai untuk pengeluaran litar bersepadu berskala besar.

Ciri-ciri produk

Wafer silikon jenis P/N 8" yang digilap (25 keping)

Orientasi: 200

Kerintangan: 0.1 - 40 ohm•cm (Ia mungkin berbeza dari kelompok ke kelompok)

Ketebalan: 725+/-20um

Gred Utama/Monitor/Ujian

SIFAT-SIFAT BAHAN

Parameter	Ciri-ciri
Jenis/Dopan	P, Boron N, Fosforus N, Antimoni N, Arsenik
Orientasi	<100>, <111> potong orientasi mengikut spesifikasi pelanggan
Kandungan Oksigen	10¹⁹Toleransi tersuai ppmA mengikut spesifikasi pelanggan
Kandungan Karbon	< 0.6 ppmA

SIFAT-SIFAT MEKANIKAL

Parameter	Perdana	Pantau/Uji A	Ujian
Diameter	200±0.2mm	200 ± 0.2mm	200 ± 0.5 mm
Ketebalan	725±20µm (piawai)	725±25µm (piawai) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (piawai)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Busur	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Balut	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Pembundaran Tepi	SEMI-STD
Penandaan	Rumah Pangsa Semi-Flat Utama sahaja, Rumah Pangsa Semi-STD Jeida Flat, Notch

Parameter	Perdana	Pantau/Uji A	Ujian
Kriteria Bahagian Hadapan
Keadaan permukaan	Kimia Mekanikal Digilap	Kimia Mekanikal Digilap	Kimia Mekanikal Digilap
Kekasaran Permukaan	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Pencemaran Zarah@ >0.3 µm	= 20	= 20	= 30
Jerebu, Lubang-lubang Kulit oren	Tiada	Tiada	Tiada
Gergaji, Tanda Striations	Tiada	Tiada	Tiada
Kriteria Bahagian Belakang
Retakan, kesan kaki gagak, kesan gergaji, kesan kotoran	Tiada	Tiada	Tiada
Keadaan permukaan	Kaustik terukir