Substrat tebus guna tiruan 8 inci wafer silikon jenis P/N (100) 1-100Ω

Wafer silikon jenis P/N 8 inci (100) 1-100Ω substrat menuntut semula tiruan Imej yang Ditampilkan

Penerangan Ringkas:

Inventori besar wafer bergilap bermuka dua, semua wafer berdiameter 50 hingga 400mm Jika spesifikasi anda tidak tersedia dalam inventori kami, kami telah menjalinkan hubungan jangka panjang dengan banyak pembekal yang mampu membuat wafer tersuai agar sesuai dengan mana-mana spesifikasi unik.Wafer bergilap dua muka boleh digunakan untuk silikon, kaca dan bahan lain yang biasa digunakan dalam industri semikonduktor.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Pengenalan kotak wafer

Wafer silikon 8 inci ialah bahan substrat silikon yang biasa digunakan dan digunakan secara meluas dalam proses pembuatan litar bersepadu.Wafer silikon sedemikian biasanya digunakan untuk membuat pelbagai jenis litar bersepadu, termasuk mikropemproses, cip memori, penderia dan peranti elektronik lain.Wafer silikon 8-inci biasanya digunakan untuk membuat cip bersaiz yang agak besar, dengan kelebihan termasuk kawasan permukaan yang lebih besar dan keupayaan untuk membuat lebih banyak cip pada wafer silikon tunggal, yang membawa kepada peningkatan kecekapan pengeluaran.Wafer silikon 8 inci juga mempunyai sifat mekanikal dan kimia yang baik, yang sesuai untuk pengeluaran litar bersepadu berskala besar.

Ciri-ciri Produk

8" jenis P/N, wafer silikon yang digilap (25 pcs)

Orientasi: 200

Kerintangan: 0.1 - 40 ohm•cm (Ia mungkin berbeza dari kumpulan ke kelompok)

Ketebalan: 725+/-20um

Gred Perdana/Pantau/Ujian

SIFAT BAHAN

Parameter	Ciri
Jenis/Dopan	P, Boron N, Fosforus N, Antimoni N, Arsenik
Orientasi	<100>, <111> potong orientasi mengikut spesifikasi pelanggan
Kandungan Oksigen	10¹⁹ppmA Toleransi tersuai mengikut spesifikasi pelanggan
Kandungan Karbon	< 0.6 ppmA

SIFAT MEKANIKAL

Parameter	Perdana	Pantau/Ujian A	Ujian
Diameter	200±0.2mm	200 ± 0.2mm	200 ± 0.5 mm
Ketebalan	725±20µm (standard)	725±25µm(standard) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (standard)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Tunduk	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Bungkus	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Pembundaran Tepi	SEMI-STD
Menanda	Separa Flat Utama sahaja, Flat SEMI-STD Jeida Flat, Notch

Parameter	Perdana	Pantau/Ujian A	Ujian
Kriteria Bahagian Depan
Keadaan permukaan	Digilap Mekanikal Kimia	Digilap Mekanikal Kimia	Digilap Mekanikal Kimia
Kekasaran permukaan	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Pencemaran Zarah@ >0.3 µm	= 20	= 20	= 30
Jerebu, Lubang Kulit oren	tiada	tiada	tiada
Saw, Marks Striations	tiada	tiada	tiada
Kriteria Bahagian Belakang
Keretakan, kaki gagak, tanda gergaji, noda	tiada	tiada	tiada
Keadaan permukaan	Kaustik terukir