Wafer SiC HPSI ≥90% Gred Optik Penghantaran untuk Cermin Mata AI/AR

Penerangan ringkas:

Parameter	Gred	Substrat 4-inci	Substrat 6-inci
Diameter	Gred Z / Gred D	99.5 mm – 100.0 mm	149.5 mm – 150.0 mm
Jenis poli	Gred Z / Gred D	4H	4H
Ketebalan	Gred Z	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Ketebalan	Gred D	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Orientasi Wafer	Gred Z / Gred D	Pada paksi: <0001> ± 0.5°	Pada paksi: <0001> ± 0.5°
Ketumpatan Micropipe	Gred Z	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Ketumpatan Micropipe	Gred D	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Kerintangan	Gred Z	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Kerintangan	Gred D	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Hantar e-mel kepada kami

Ciri-ciri

Pengenalan Teras: Peranan Wafer SiC HPSI dalam Cermin Mata AI/AR

Wafer Silikon Karbida HPSI (Separuh Penebat Ketulenan Tinggi) ialah wafer khusus yang dicirikan oleh kerintangan tinggi (>10⁹ Ω·cm) dan ketumpatan kecacatan yang sangat rendah. Dalam cermin mata AI/AR, ia berfungsi terutamanya sebagai bahan substrat teras untuk kanta pandu gelombang optik difraktif, menangani kesesakan yang berkaitan dengan bahan optik tradisional dari segi faktor bentuk nipis dan ringan, pelesapan haba dan prestasi optik. Sebagai contoh, cermin mata AR yang menggunakan kanta pandu gelombang SiC boleh mencapai medan pandangan ultra lebar (FOV) 70°–80°, sambil mengurangkan ketebalan lapisan kanta tunggal kepada hanya 0.55mm dan berat kepada 2.7g sahaja, meningkatkan keselesaan pemakaian dan rendaman visual dengan ketara.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Ciri-ciri Utama: Bagaimana Bahan SiC Memperkasa Reka Bentuk Cermin Mata AI/AR

Indeks Biasan Tinggi dan Pengoptimuman Prestasi Optik

Indeks biasan SiC (2.6–2.7) hampir 50% lebih tinggi daripada kaca tradisional (1.8–2.0). Ini membolehkan struktur pandu gelombang yang lebih nipis dan cekap, mengembangkan FOV dengan ketara. Indeks biasan yang tinggi juga membantu menyekat "kesan pelangi" yang biasa dalam pandu gelombang difraktif, meningkatkan ketulenan imej.

Keupayaan Pengurusan Terma yang Luar Biasa

Dengan kekonduksian terma setinggi 490 W/m·K (berhampiran dengan tembaga), SiC boleh menghilangkan haba yang dijana dengan pantas oleh modul paparan LED Mikro. Ini menghalang kemerosotan prestasi atau penuaan peranti akibat suhu tinggi, memastikan hayat bateri yang lama dan kestabilan yang tinggi.

Kekuatan dan Ketahanan Mekanikal

SiC mempunyai kekerasan Mohs 9.5 (kedua selepas berlian), menawarkan rintangan calar yang luar biasa, menjadikannya sesuai untuk cermin mata pengguna yang kerap digunakan. Kekasaran permukaannya boleh dikawal hingga Ra < 0.5 nm, memastikan penghantaran cahaya kehilangan rendah dan sangat seragam dalam pandu gelombang.

Keserasian Harta Elektrik

Kerintangan HPSI SiC (>10⁹ Ω·cm) membantu mencegah gangguan isyarat. Ia juga boleh berfungsi sebagai bahan peranti kuasa yang cekap, mengoptimumkan modul pengurusan kuasa dalam cermin mata AR.

Arahan Permohonan Utama

Komponen Optik Teras untuk Kaca AI/ARs

Kanta Pandu Gelombang Beza: Substrat SiC digunakan untuk mencipta pandu gelombang optik ultra nipis yang menyokong FOV besar dan penyingkiran kesan pelangi.
Plat Tetingkap dan Prisma:Melalui pemotongan dan penggilapan tersuai, SiC boleh diproses menjadi tingkap pelindung atau prisma optik untuk cermin mata AR, meningkatkan ketransmisian cahaya dan rintangan haus.

Aplikasi Lanjutan dalam Bidang Lain

Elektronik Kuasa: Digunakan dalam senario berkuasa tinggi frekuensi tinggi seperti penyongsang kenderaan tenaga baharu dan kawalan motor industri.
Optik Kuantum: Bertindak sebagai hos untuk pusat warna, digunakan dalam substrat untuk komunikasi kuantum dan peranti penderiaan.

Perbandingan Spesifikasi Substrat SiC HPSI 4 inci & 6 inci

Parameter	Gred	Substrat 4-inci	Substrat 6-inci
Diameter	Gred Z / Gred D	99.5 mm - 100.0 mm	149.5 mm - 150.0 mm
Jenis poli	Gred Z / Gred D	4H	4H
Ketebalan	Gred Z	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Ketebalan	Gred D	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Orientasi Wafer	Gred Z / Gred D	Pada paksi: <0001> ± 0.5°	Pada paksi: <0001> ± 0.5°
Ketumpatan Micropipe	Gred Z	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Ketumpatan Micropipe	Gred D	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Kerintangan	Gred Z	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Kerintangan	Gred D	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Orientasi Rata Utama	Gred Z / Gred D	(10-10) ± 5.0°	(10-10) ± 5.0°
Panjang Rata Utama	Gred Z / Gred D	32.5 mm ± 2.0 mm	Takik
Panjang Rata Sekunder	Gred Z / Gred D	18.0 mm ± 2.0 mm	-
Pengecualian Tepi	Gred Z / Gred D	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp	Gred Z	≤ 2.5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2.5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Bow / Warp	Gred D	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Kekasaran	Gred Z	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm
Kekasaran	Gred D	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.5 nm
Retak Tepi	Gred D	Luas kumulatif ≤ 0.1%	Panjang kumulatif ≤ 20 mm, tunggal ≤ 2 mm
Kawasan Politaip	Gred D	Luas kumulatif ≤ 0.3%	Luas terkumpul ≤ 3%
Kemasukan Karbon Visual	Gred Z	Luas kumulatif ≤ 0.05%	Luas kumulatif ≤ 0.05%
Kemasukan Karbon Visual	Gred D	Luas kumulatif ≤ 0.3%	Luas terkumpul ≤ 3%
Calar Permukaan Silikon	Gred D	5 dibenarkan, setiap satu ≤1mm	Panjang kumulatif ≤ 1 x diameter
Kerepek Tepi	Gred Z	Tiada yang dibenarkan (lebar dan kedalaman ≥0.2mm)	Tiada yang dibenarkan (lebar dan kedalaman ≥0.2mm)
Kerepek Tepi	Gred D	7 dibenarkan, setiap satu ≤1mm	7 dibenarkan, setiap satu ≤1mm
Kehelan Skru Benang	Gred Z	-	≤ 500 cm²
pembungkusan	Gred Z / Gred D	Kaset Berbilang Wafer Atau Bekas Wafer Tunggal	Kaset Berbilang Wafer Atau Bekas Wafer Tunggal

Perkhidmatan XKH: Keupayaan Pengilangan dan Penyesuaian Bersepadu

Syarikat XKH mempunyai keupayaan penyepaduan menegak daripada bahan mentah hingga wafer siap, meliputi keseluruhan rantai pertumbuhan substrat SiC, penghirisan, penggilapan dan pemprosesan tersuai. Kelebihan perkhidmatan utama termasuk:

Kepelbagaian bahan:Kami boleh menyediakan pelbagai jenis wafer seperti jenis 4H-N, jenis 4H-HPSI, jenis 4H/6H-P dan jenis 3C-N. Kerintangan, ketebalan, dan orientasi boleh dilaraskan mengikut keperluan.
'Penyesuaian Saiz Fleksibel:Kami menyokong pemprosesan wafer daripada diameter 2 inci hingga 12 inci, dan juga boleh memproses struktur khas seperti kepingan persegi (cth, 5x5mm, 10x10mm) dan prisma tidak sekata.
Kawalan Ketepatan Gred Optik:Variasi Ketebalan Jumlah Wafer (TTV) boleh dikekalkan pada <1μm, dan kekasaran permukaan pada Ra <0.3 nm, memenuhi keperluan kerataan tahap nano untuk peranti pandu gelombang.
Respon Pasaran Pantas:Model perniagaan bersepadu memastikan peralihan yang cekap daripada R&D kepada pengeluaran besar-besaran, menyokong segala-galanya daripada pengesahan kumpulan kecil kepada penghantaran volum besar (masa utama biasanya 15-40 hari).

Soalan Lazim Wafer SiC HPSI

S1: Mengapakah HPSI SiC dianggap sebagai bahan yang sesuai untuk kanta pandu gelombang AR?
A1: Indeks biasannya yang tinggi (2.6–2.7) membolehkan struktur pandu gelombang yang lebih nipis dan cekap yang menyokong medan pandangan yang lebih besar (cth, 70°–80°) sambil menghapuskan "kesan pelangi".
S2: Bagaimanakah HPSI SiC meningkatkan pengurusan terma dalam cermin mata AI/AR?
A2: Dengan kekonduksian terma sehingga 490 W/m·K (berhampiran dengan kuprum), ia menghilangkan haba dengan cekap daripada komponen seperti Micro-LED, memastikan prestasi yang stabil dan jangka hayat peranti yang lebih lama.
S3: Apakah kelebihan ketahanan yang ditawarkan oleh HPSI SiC untuk cermin mata boleh pakai?
A3: Kekerasannya yang luar biasa (Mohs 9.5) memberikan rintangan calar yang unggul, menjadikannya sangat tahan lama untuk kegunaan harian dalam cermin mata AR gred pengguna.