Tatasusunan fotodetektor Tatasusunan PD substrat wafer epitaxial InGaAs boleh digunakan untuk LiDAR
Ciri-ciri utama lembaran epitaxial laser InGaAs termasuk
1. Padanan kekisi: Padanan kekisi yang baik boleh dicapai antara lapisan epitaxial InGaAs dan substrat InP atau GaAs, dengan itu mengurangkan ketumpatan kecacatan lapisan epitaxial dan meningkatkan prestasi peranti.
2. Jurang jalur boleh laras: Jurang jalur bahan InGaAs boleh dicapai dengan melaraskan bahagian komponen In dan Ga, yang menjadikan kepingan epitaxial InGaAs mempunyai pelbagai prospek aplikasi dalam peranti optoelektronik.
3. Kepekaan foto yang tinggi: Filem epitaxial InGaAs mempunyai kepekaan yang tinggi kepada cahaya, yang menjadikannya dalam bidang pengesanan fotoelektrik, komunikasi optik dan kelebihan unik yang lain.
4. Kestabilan suhu tinggi: Struktur epitaxial InGaAs/InP mempunyai kestabilan suhu tinggi yang sangat baik, dan boleh mengekalkan prestasi peranti yang stabil pada suhu tinggi.
Aplikasi utama tablet epitaxial laser InGaAs termasuk
1. Peranti optoelektronik: Tablet epitaxial InGaAs boleh digunakan untuk mengeluarkan fotodiod, pengesan foto dan peranti optoelektronik lain, yang mempunyai pelbagai aplikasi dalam komunikasi optik, penglihatan malam dan bidang lain.
2. Laser: Lembaran epitaxial InGaAs juga boleh digunakan untuk mengeluarkan laser, terutamanya laser panjang gelombang panjang, yang memainkan peranan penting dalam komunikasi gentian optik, pemprosesan industri dan bidang lain.
3. Sel suria: Bahan InGaAs mempunyai julat pelarasan jurang jalur yang luas, yang boleh memenuhi keperluan jurang jalur yang diperlukan oleh sel fotovoltaik terma, jadi kepingan epitaxial InGaAs juga mempunyai potensi aplikasi tertentu dalam bidang sel suria.
4. Pengimejan perubatan: Dalam peralatan pengimejan perubatan (seperti CT, MRI, dll.), untuk pengesanan dan pengimejan.
5. Rangkaian penderia: dalam pemantauan alam sekitar dan pengesanan gas, berbilang parameter boleh dipantau secara serentak.
6. Automasi industri: digunakan dalam sistem penglihatan mesin untuk memantau status dan kualiti objek pada barisan pengeluaran.
Pada masa hadapan, sifat bahan substrat epitaxial InGaAs akan terus bertambah baik, termasuk peningkatan kecekapan penukaran fotoelektrik dan pengurangan tahap hingar. Ini akan menjadikan substrat epitaxial InGaAs digunakan secara meluas dalam peranti optoelektronik, dan prestasinya lebih cemerlang. Pada masa yang sama, proses penyediaan juga akan terus dioptimumkan untuk mengurangkan kos dan meningkatkan kecekapan, bagi memenuhi keperluan pasaran yang lebih besar.
Secara umum, substrat epitaxial InGaAs menduduki kedudukan penting dalam bidang bahan semikonduktor dengan ciri uniknya dan prospek aplikasi yang luas.
XKH menawarkan penyesuaian helaian epitaxial InGaAs dengan struktur dan ketebalan yang berbeza, meliputi pelbagai aplikasi untuk peranti optoelektronik, laser dan sel suria. Produk XKH dihasilkan dengan peralatan MOCVD termaju untuk memastikan prestasi tinggi dan kebolehpercayaan. Dari segi logistik, XKH mempunyai pelbagai saluran sumber antarabangsa, yang boleh mengendalikan bilangan pesanan secara fleksibel, dan menyediakan perkhidmatan nilai tambah seperti penghalusan dan pembahagian. Proses penghantaran yang cekap memastikan penghantaran tepat pada masa dan memenuhi keperluan pelanggan untuk kualiti dan masa penghantaran.