Susunan fotopengesan PD substrat wafer epitaksi InGaAs boleh digunakan untuk LiDAR
Ciri-ciri utama helaian epitaksi laser InGaAs termasuk
1. Padanan kekisi: Padanan kekisi yang baik boleh dicapai antara lapisan epitaksi InGaAs dan substrat InP atau GaAs, sekali gus mengurangkan ketumpatan kecacatan lapisan epitaksi dan meningkatkan prestasi peranti.
2. Jurang jalur boleh laras: Jurang jalur bahan InGaAs boleh dicapai dengan melaraskan perkadaran komponen In dan Ga, yang menjadikan lembaran epitaksi InGaAs mempunyai pelbagai prospek aplikasi dalam peranti optoelektronik.
3. Kepekaan foto yang tinggi: Filem epitaksi InGaAs mempunyai kepekaan yang tinggi terhadap cahaya, yang menjadikannya dalam bidang pengesanan fotoelektrik, komunikasi optik dan kelebihan unik yang lain.
4. Kestabilan suhu tinggi: Struktur epitaksi InGaAs/InP mempunyai kestabilan suhu tinggi yang sangat baik, dan boleh mengekalkan prestasi peranti yang stabil pada suhu tinggi.
Aplikasi utama tablet epitaksi laser InGaAs termasuk
1. Peranti optoelektronik: Tablet epitaksi InGaAs boleh digunakan untuk mengeluarkan fotodiod, fotodetektor dan peranti optoelektronik lain, yang mempunyai pelbagai aplikasi dalam komunikasi optik, penglihatan malam dan bidang lain.
2. Laser: Lembaran epitaksi InGaAs juga boleh digunakan untuk mengeluarkan laser, terutamanya laser panjang gelombang panjang, yang memainkan peranan penting dalam komunikasi gentian optik, pemprosesan perindustrian dan bidang lain.
3. Sel suria: Bahan InGaAs mempunyai julat pelarasan jurang jalur yang luas, yang boleh memenuhi keperluan jurang jalur yang diperlukan oleh sel fotovoltaik terma, jadi lembaran epitaksi InGaAs juga mempunyai potensi aplikasi tertentu dalam bidang sel suria.
4. Pengimejan perubatan: Dalam peralatan pengimejan perubatan (seperti CT, MRI, dll.), untuk pengesanan dan pengimejan.
5. Rangkaian sensor: dalam pemantauan alam sekitar dan pengesanan gas, pelbagai parameter boleh dipantau secara serentak.
6. Automasi perindustrian: digunakan dalam sistem penglihatan mesin untuk memantau status dan kualiti objek di barisan pengeluaran.
Pada masa hadapan, sifat bahan substrat epitaksi InGaAs akan terus bertambah baik, termasuk peningkatan kecekapan penukaran fotoelektrik dan pengurangan tahap hingar. Ini akan menjadikan substrat epitaksi InGaAs lebih banyak digunakan dalam peranti optoelektronik, dan prestasinya lebih cemerlang. Pada masa yang sama, proses penyediaan juga akan dioptimumkan secara berterusan untuk mengurangkan kos dan meningkatkan kecekapan, bagi memenuhi keperluan pasaran yang lebih besar.
Secara amnya, substrat epitaksi InGaAs menduduki kedudukan penting dalam bidang bahan semikonduktor dengan ciri-ciri unik dan prospek aplikasi yang luas.
XKH menawarkan penyesuaian kepingan epitaksi InGaAs dengan struktur dan ketebalan yang berbeza, meliputi pelbagai aplikasi untuk peranti optoelektronik, laser dan sel suria. Produk XKH dihasilkan dengan peralatan MOCVD canggih untuk memastikan prestasi dan kebolehpercayaan yang tinggi. Dari segi logistik, XKH mempunyai pelbagai saluran sumber antarabangsa, yang boleh mengendalikan bilangan pesanan secara fleksibel dan menyediakan perkhidmatan nilai tambah seperti penghalusan dan segmentasi. Proses penghantaran yang cekap memastikan penghantaran tepat pada masanya dan memenuhi keperluan pelanggan untuk kualiti dan masa penghantaran.
Gambarajah Terperinci



