Wafer LiNbO₃ Ketebalan 2 inci-8 inci 0.1 ~ 0.5mm TTV 3µm Tersuai

Wafer LiNbO₃ Ketebalan 2 inci-8 inci 0.1 ~ 0.5mm TTV 3µm Imej Pilihan Tersuai

Penerangan Ringkas:

Wafer LiNbO₃ mewakili standard emas dalam fotonik bersepadu dan akustik ketepatan, memberikan prestasi yang tiada tandingan dalam sistem optoelektronik moden. Sebagai pengeluar terkemuka, kami telah menyempurnakan seni menghasilkan substrat kejuruteraan ini melalui teknik keseimbangan pengangkutan wap termaju, mencapai kesempurnaan kristal yang terkemuka dalam industri dengan ketumpatan kecacatan di bawah 50/cm².

Keupayaan pengeluaran XKH merangkumi diameter dari 75mm hingga 150mm, dengan kawalan orientasi yang tepat (potongan X/Y/Z ±0.3°) dan pilihan pendopan khusus termasuk unsur nadir bumi. Gabungan unik sifat dalam Wafer LiNbO₃ – termasuk pekali r₃₃ yang luar biasa (32±2 pm/V) dan ketelusan yang luas dari hampir UV hingga pertengahan IR – menjadikannya sangat diperlukan untuk litar fotonik generasi akan datang dan peranti akustik frekuensi tinggi.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Parameter teknikal

Bahan	Waf LiNbO3 Gred Optik
Suhu Curie	1142±2.0℃
Sudut Pemotongan	X/Y/Z dll
Diameter/saiz	2"/3"/4"/6"/8"
Tol(±)	<0.20 mm
Ketebalan	0.1 ~ 0.5mm atau lebih
Flat Utama	16mm/22mm/32mm
TTV	<3µm
Busur	-30
Meledingkan	<40µm
Orientasi Rata	Semua tersedia
Jenis Permukaan	Sisi Tunggal Digilap / Sisi Berganda Digilap
Ra sisi yang digilap	<0.5nm
S/D	20/10
Kriteria Kelebihan	R=0.2mm atau Bullnose
Dop optik	Fe/Zn/MgO dll untuk wafer LN< gred optik
Kriteria Permukaan Wafer	Indeks biasan	Tidak=2.2878/Ne=2.2033 @632nm panjang gelombang
	Pencemaran,	Tiada
	Zarah ￠>0.3 µm	<= 30
	Calar, Retakan	Tiada
	Kecacatan	Tiada rekahan tepi, calar, kesan gergaji, kotoran
Pembungkusan	Kuantiti/Kotak Wafer	25 keping setiap kotak

Atribut Teras Wafer LiNbO₃ Kami

1. Ciri-ciri Prestasi Fotonik

Wafer LiNbO₃ kami mempamerkan keupayaan interaksi jirim cahaya yang luar biasa, dengan pekali optik tak linear mencapai 42 pm/V - membolehkan proses penukaran panjang gelombang yang cekap dan kritikal untuk fotonik kuantum. Substrat mengekalkan penghantaran >72% merentasi 320-5200nm, dengan versi kejuruteraan khas yang mencapai kehilangan perambatan <0.2dB/cm pada panjang gelombang telekomunikasi.

2. Kejuruteraan Gelombang Akustik

Struktur kristal Wafer LiNbO₃ kami menyokong halaju gelombang permukaan melebihi 3800 m/s, membolehkan operasi resonator sehingga 12GHz. Teknik penggilapan proprietari kami menghasilkan peranti gelombang akustik permukaan (SAW) dengan kehilangan sisipan di bawah 1.2dB, sambil mengekalkan kestabilan suhu dalam lingkungan ±15ppm/°C.

3. Daya Tahan Alam Sekitar

Direkayasa untuk menahan keadaan ekstrem, Wafer LiNbO₃ kami mengekalkan fungsi daripada suhu kriogenik hingga persekitaran operasi 500°C. Bahan ini menunjukkan kekerasan sinaran yang luar biasa, menahan jumlah dos pengionan >1Mrad tanpa degradasi prestasi yang ketara.

4. Konfigurasi Khusus Aplikasi

Kami menawarkan varian kejuruteraan domain termasuk:
Struktur berkutub berkala dengan tempoh domain 5-50μm
Filem nipis hirisan ion untuk integrasi hibrid
Versi yang dipertingkatkan metabahan untuk aplikasi khusus

Senario Pelaksanaan untuk Wafer LiNbO₃

1. Rangkaian Optik Generasi Seterusnya
Wafer LiNbO₃ berfungsi sebagai tulang belakang untuk transceiver optik berskala terabit, membolehkan penghantaran koheren 800Gbps melalui reka bentuk modulator bersarang termaju. Substrat kami semakin diguna pakai untuk pelaksanaan optik pakej bersama dalam sistem pemecut AI/ML.
Bahagian Hadapan RF 2.6G
Generasi terkini Wafer LiNbO₃ menyokong penapisan jalur ultra lebar sehingga 20GHz, memenuhi keperluan spektrum piawaian 6G yang sedang muncul. Bahan kami membolehkan seni bina resonator akustik baharu dengan faktor Q melebihi 2000.
3. Sistem Maklumat Kuantum
Wafer LiNbO₃ berkutub jitu membentuk asas untuk sumber foton berbelit dengan kecekapan penjanaan pasangan >90%. Substrat kami membolehkan penemuan baharu dalam pengkomputeran kuantum fotonik dan rangkaian komunikasi yang selamat.
4. Penyelesaian Pengesanan Lanjutan
Daripada LiDAR automotif yang beroperasi pada 1550nm hinggalah kepada sensor gravimetri ultra sensitif, Wafer LiNbO₃ menyediakan platform transduksi kritikal. Bahan kami membolehkan resolusi sensor sehingga ke tahap pengesanan molekul tunggal.

Kelebihan Utama Wafer LiNbO₃

1. Prestasi Elektro-Optik yang Tiada Tandingan
Pekali Elektro-Optik yang Luar Biasa Tinggi (r₃₃~30-32 pm/V): Mewakili penanda aras industri untuk wafer litium niobate komersial, membolehkan modulator optik berkelajuan tinggi 200Gbps+ yang jauh melebihi had prestasi larutan berasaskan silikon atau polimer.

Kehilangan Sisipan Ultra Rendah (<0.1 dB/cm): Dicapai melalui penggilapan nano (Ra<0.3 nm) dan salutan anti-pantulan (AR), meningkatkan kecekapan tenaga modul komunikasi optik dengan ketara.

2. Sifat Piezoelektrik & Akustik yang Unggul
Ideal untuk Peranti SAW/BAW Berfrekuensi Tinggi: Dengan halaju akustik 3500-3800 m/s, wafer ini menyokong reka bentuk penapis 6G mmWave (24-100 GHz) yang menampilkan kehilangan sisipan <1.0 dB.

Pekali Gandingan Elektromekanikal Tinggi (K²~0.25%): Meningkatkan lebar jalur dan selektiviti isyarat dalam komponen bahagian hadapan RF, menjadikannya sesuai untuk stesen pangkalan 5G/6G dan komunikasi satelit.

3. Ketelusan Jalur Lebar & Kesan Optik Tak Linear
Tingkap Penghantaran Optik Ultra Lebar (350-5000 nm): Meliputi spektrum UV hingga pertengahan IR, membolehkan aplikasi seperti:

Optik Kuantum: Konfigurasi berkutub berkala (PPLN) mencapai kecekapan >90% dalam penjanaan pasangan foton yang terikat.

Sistem Laser: Ayunan parametrik optik (OPO) memberikan output panjang gelombang yang boleh ditala (1-10 μm).

Ambang Kerosakan Laser Luar Biasa (>1 GW/cm²): Memenuhi keperluan ketat untuk aplikasi laser berkuasa tinggi.

4. Kestabilan Alam Sekitar yang Ekstrem
Rintangan Suhu Tinggi (Titik Curie: 1140°C): Mengekalkan prestasi yang stabil merentasi -200°C hingga +500°C, sesuai untuk:

Elektronik Automotif (sensor petak enjin)

Kapal angkasa (komponen optik angkasa lepas)

Kekerasan Sinaran (>1 Mrad TID): Mematuhi piawaian MIL-STD-883, sesuai untuk elektronik nuklear dan pertahanan.

5. Fleksibiliti Penyesuaian & Integrasi
Orientasi Kristal & Pengoptimuman Doping:

Wafer potongan X/Y/Z (ketepatan ±0.3°)

Doping MgO (5 mol%) untuk rintangan kerosakan optik yang dipertingkatkan

Sokongan Integrasi Heterogen:

Serasi dengan LiNbO₃-on-Insulator filem nipis (LNOI) untuk penyepaduan hibrid dengan fotonik silikon (SiPh)

Membolehkan ikatan aras wafer untuk optik pakej bersama (CPO)

6. Pengeluaran & Kecekapan Kos yang Boleh Diskala
Pengeluaran Besar-besaran Wafer 6 inci (150mm): Mengurangkan kos unit sebanyak 30% berbanding proses 4 inci tradisional.

Penghantaran Pantas: Produk standard dihantar dalam 3 minggu; prototaip kelompok kecil (minimum 5 wafer) dihantar dalam 10 hari.

Perkhidmatan XKH

1. Makmal Inovasi Bahan
Pakar pertumbuhan kristal kami bekerjasama dengan pelanggan untuk membangunkan formulasi Wafer LiNbO₃ khusus aplikasi, termasuk:

Varian kehilangan optik rendah (<0.05dB/cm)

Konfigurasi pengendalian kuasa tinggi

Komposisi tahan radiasi

2. Saluran Paip Prototaip Pantas
Dari reka bentuk hingga penghantaran dalam 10 hari bekerja untuk:

Wafer orientasi tersuai

Elektrod bercorak

Sampel yang telah dicirikan terlebih dahulu

3. Pensijilan Prestasi
Setiap penghantaran Wafer LiNbO₃ merangkumi:

Pencirian spektroskopi penuh

Pengesahan orientasi kristalografi

Pensijilan kualiti permukaan

4. Jaminan Rantaian Bekalan