Wafer LNOI (LiNbO3 pada Penebat) 8 inci untuk Modulator Optik Pandu Gelombang Litar Bersepadu

Penerangan Ringkas:

Wafer Litium Niobate pada Penebat (LNOI) ialah bahan canggih yang digunakan dalam pelbagai aplikasi optik dan elektronik termaju. Wafer ini dihasilkan dengan memindahkan lapisan nipis litium niobate (LiNbO₃) ke atas substrat penebat, biasanya silikon atau bahan lain yang sesuai, menggunakan teknik canggih seperti implantasi ion dan ikatan wafer. Teknologi LNOI berkongsi banyak persamaan dengan teknologi wafer Silikon pada Penebat (SOI) tetapi memanfaatkan sifat optik unik litium niobate, bahan yang dikenali dengan ciri-ciri piezoelektrik, piroelektrik dan optik tak linearnya.

Wafer LNOI telah mendapat perhatian yang ketara dalam bidang seperti optik bersepadu, telekomunikasi dan pengkomputeran kuantum kerana prestasi unggulnya dalam aplikasi frekuensi tinggi dan berkelajuan tinggi. Wafer dihasilkan menggunakan teknik "Smart-cut", yang membolehkan kawalan tepat ke atas ketebalan filem nipis litium niobate, memastikan wafer memenuhi spesifikasi yang diperlukan untuk pelbagai aplikasi.


Ciri-ciri

Gambarajah Terperinci

LNOI 4
LNOI 2

Pengenalan

Wafer Litium Niobate pada Penebat (LNOI) ialah bahan canggih yang digunakan dalam pelbagai aplikasi optik dan elektronik termaju. Wafer ini dihasilkan dengan memindahkan lapisan nipis litium niobate (LiNbO₃) ke atas substrat penebat, biasanya silikon atau bahan lain yang sesuai, menggunakan teknik canggih seperti implantasi ion dan ikatan wafer. Teknologi LNOI berkongsi banyak persamaan dengan teknologi wafer Silikon pada Penebat (SOI) tetapi memanfaatkan sifat optik unik litium niobate, bahan yang dikenali dengan ciri-ciri piezoelektrik, piroelektrik dan optik tak linearnya.

Wafer LNOI telah mendapat perhatian yang ketara dalam bidang seperti optik bersepadu, telekomunikasi dan pengkomputeran kuantum kerana prestasi unggulnya dalam aplikasi frekuensi tinggi dan berkelajuan tinggi. Wafer dihasilkan menggunakan teknik "Smart-cut", yang membolehkan kawalan tepat ke atas ketebalan filem nipis litium niobate, memastikan wafer memenuhi spesifikasi yang diperlukan untuk pelbagai aplikasi.

Prinsip

Proses penghasilan wafer LNOI bermula dengan kristal niobate litium pukal. Kristal tersebut menjalani implantasi ion, di mana ion helium bertenaga tinggi diperkenalkan ke dalam permukaan kristal niobate litium. Ion-ion ini menembusi kristal ke kedalaman tertentu dan mengganggu struktur kristal, menghasilkan satah rapuh yang kemudiannya boleh digunakan untuk memisahkan kristal kepada lapisan nipis. Tenaga khusus ion helium mengawal kedalaman implantasi, yang secara langsung memberi kesan kepada ketebalan lapisan niobate litium akhir.

Selepas implantasi ion, kristal litium niobate diikat pada substrat menggunakan teknik yang dipanggil ikatan wafer. Proses ikatan biasanya menggunakan kaedah ikatan langsung, di mana kedua-dua permukaan (kristal litium niobate yang diimplan ion dan substrat) ditekan bersama di bawah suhu dan tekanan tinggi untuk menghasilkan ikatan yang kuat. Dalam beberapa kes, bahan pelekat seperti benzosiklobutena (BCB) boleh digunakan untuk sokongan tambahan.

Selepas ikatan, wafer menjalani proses penyepuhlindapan untuk membaiki sebarang kerosakan yang disebabkan oleh implantasi ion dan untuk meningkatkan ikatan antara lapisan. Proses penyepuhlindapan juga membantu lapisan niobate litium nipis untuk terpisah daripada kristal asal, meninggalkan lapisan niobate litium nipis yang berkualiti tinggi yang boleh digunakan untuk fabrikasi peranti.

Spesifikasi

Wafer LNOI dicirikan oleh beberapa spesifikasi penting yang memastikan kesesuaiannya untuk aplikasi berprestasi tinggi. Ini termasuk:

Spesifikasi Bahan

Bahan

Spesifikasi

Bahan

Homogen: LiNbO3

Kualiti Bahan

Gelembung atau rangkuman <100μm
Kuantiti <8, 30μm < saiz gelembung <100μm

Orientasi

Potongan Y ±0.2°

Ketumpatan

4.65 g/cm³

Suhu Curie

1142 ±1°C

Ketelusan

>95% dalam julat 450-700 nm (ketebalan 10 mm)

Spesifikasi Pembuatan

Parameter

Spesifikasi

Diameter

150 mm ±0.2 mm

Ketebalan

350 μm ±10 μm

Kerataan

<1.3 μm

Variasi Ketebalan Keseluruhan (TTV)

Melengkung <70 μm @ wafer 150 mm

Variasi Ketebalan Tempatan (LTV)

<70 μm @ wafer 150 mm

Kekasaran

Rq ≤0.5 nm (nilai RMS AFM)

Kualiti Permukaan

40-20

Zarah (Tidak boleh ditanggalkan)

100-200 μm ≤3 zarah
20-100 μm ≤20 zarah

Kerepek

<300 μm (wafer penuh, tiada zon pengecualian)

Retakan

Tiada rekahan (wafer penuh)

Pencemaran

Tiada kesan yang tidak boleh ditanggalkan (wafer penuh)

Paralelisme

<30 saat lengkok

Satah Rujukan Orientasi (paksi-X)

47 ±2 mm

Aplikasi

Wafer LNOI digunakan dalam pelbagai aplikasi kerana sifat uniknya, terutamanya dalam bidang fotonik, telekomunikasi dan teknologi kuantum. Antara aplikasi utama termasuk:

Optik Bersepadu:Wafer LNOI digunakan secara meluas dalam litar optik bersepadu, di mana ia membolehkan peranti fotonik berprestasi tinggi seperti modulator, pandu gelombang dan resonator. Sifat optik tak linear yang tinggi bagi litium niobate menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk aplikasi yang memerlukan manipulasi cahaya yang cekap.

Telekomunikasi:Wafer LNOI digunakan dalam modulator optik, yang merupakan komponen penting dalam sistem komunikasi berkelajuan tinggi, termasuk rangkaian gentian optik. Keupayaan untuk memodulasi cahaya pada frekuensi tinggi menjadikan wafer LNOI sesuai untuk sistem telekomunikasi moden.

Pengkomputeran Kuantum:Dalam teknologi kuantum, wafer LNOI digunakan untuk menghasilkan komponen bagi komputer kuantum dan sistem komunikasi kuantum. Sifat optik tak linear LNOI dimanfaatkan untuk mencipta pasangan foton yang berbelit, yang penting untuk pengagihan kunci kuantum dan kriptografi kuantum.

Sensor:Wafer LNOI digunakan dalam pelbagai aplikasi penderiaan, termasuk sensor optik dan akustik. Keupayaannya untuk berinteraksi dengan cahaya dan bunyi menjadikannya serba boleh untuk pelbagai jenis teknologi penderiaan.

Soalan Lazim

Q:Apakah teknologi LNOI?
A:Teknologi LNOI melibatkan pemindahan filem niobate litium nipis ke atas substrat penebat, biasanya silikon. Teknologi ini memanfaatkan sifat unik niobate litium, seperti ciri optik tak linear yang tinggi, piezoelektrik dan piroelektrik, menjadikannya sesuai untuk optik dan telekomunikasi bersepadu.

Q:Apakah perbezaan antara wafer LNOI dan SOI?
A: Kedua-dua wafer LNOI dan SOI adalah serupa kerana ia terdiri daripada lapisan bahan nipis yang terikat pada substrat. Walau bagaimanapun, wafer LNOI menggunakan litium niobate sebagai bahan filem nipis, manakala wafer SOI menggunakan silikon. Perbezaan utama terletak pada sifat bahan filem nipis, dengan LNOI menawarkan sifat optik dan piezoelektrik yang unggul.

Q:Apakah kelebihan menggunakan wafer LNOI?
A: Kelebihan utama wafer LNOI termasuk sifat optiknya yang sangat baik, seperti pekali optik tak linear yang tinggi dan kekuatan mekanikalnya. Ciri-ciri ini menjadikan wafer LNOI sesuai untuk digunakan dalam aplikasi berkelajuan tinggi, frekuensi tinggi dan kuantum.

Q:Bolehkah wafer LNOI digunakan untuk aplikasi kuantum?
J: Ya, wafer LNOI digunakan secara meluas dalam teknologi kuantum kerana keupayaannya untuk menjana pasangan foton yang berbelit dan keserasiannya dengan fotonik bersepadu. Ciri-ciri ini penting untuk aplikasi dalam pengkomputeran kuantum, komunikasi dan kriptografi.

Q:Apakah ketebalan tipikal filem LNOI?
A: Filem LNOI biasanya mempunyai ketebalan antara beberapa ratus nanometer hingga beberapa mikrometer, bergantung pada aplikasi khusus. Ketebalannya dikawal semasa proses implantasi ion.


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Tulis mesej anda di sini dan hantarkannya kepada kami