Wafer SiC jenis P 4H/6H-P 3C-N 6 inci ketebalan 350 μm dengan Orientasi Rata Utama

Wafer SiC jenis-P 4H/6H-P 3C-N 6 inci ketebalan 350 μm dengan Imej Pilihan Orientasi Rata Utama

Penerangan ringkas:

Wafer SiC jenis P, 4H/6H-P 3C-N, ialah bahan semikonduktor 6 inci dengan ketebalan 350 μm dan orientasi rata utama, direka untuk aplikasi elektronik termaju. Terkenal dengan kekonduksian terma yang tinggi, voltan pecahan tinggi dan rintangan kepada suhu melampau dan persekitaran yang menghakis, wafer ini sesuai untuk peranti elektronik berprestasi tinggi. Doping jenis P memperkenalkan lubang sebagai pembawa cas utama, menjadikannya sesuai untuk aplikasi elektronik kuasa dan RF. Struktur teguhnya memastikan prestasi yang stabil dalam keadaan voltan tinggi dan frekuensi tinggi, menjadikannya sangat sesuai untuk peranti kuasa, elektronik suhu tinggi dan penukaran tenaga berkecekapan tinggi. Orientasi rata utama memastikan penjajaran yang tepat dalam proses pembuatan, memberikan konsistensi dalam fabrikasi peranti.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Spesifikasi Substrat Komposit Jenis SiC4H/6H-P Jadual parameter biasa

6 Substrat Silikon Karbida (SiC) diameter inci Spesifikasi

Gred			Pengeluaran MPD SifarGred (Z Gred)	Pengeluaran StandardGred (P Gred)	Gred Dummy (D Gred)
Diameter			145.5 mm~150.0 mm
Ketebalan			350 μm ± 25 μm
Orientasi Wafer			-Offpaksi: 2.0°-4.0°ke arah [1120] ± 0.5° untuk 4H/6H-P, Pada paksi:〈111〉± 0.5° untuk 3C-N
Ketumpatan Mikropaip			0 cm-2
Kerintangan	jenis-p 4H/6H-P		≤0.1 Ωꞏsm		≤0.3 Ωꞏsm
	n-jenis 3C-N		≤0.8 mΩꞏsm		≤1 m Ωꞏcm
Orientasi Rata Utama		4H/6H-P	-{1010} ± 5.0°
		3C-N	-{110} ± 5.0°
Panjang Rata Utama			32.5 mm ± 2.0 mm
Panjang Rata Sekunder			18.0 mm ± 2.0 mm
Orientasi Rata Menengah			Silikon menghadap ke atas: 90° CW. dari Prime flat ± 5.0°
Pengecualian Edge			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow /Warp			≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Kekasaran			Poland Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.2 nm		Ra≤0.5 nm
Tepi Retak Oleh Cahaya Intensiti Tinggi			tiada		Panjang kumulatif ≤ 10 mm, panjang tunggal≤2 mm
Plat Hex Dengan Cahaya Intensiti Tinggi			Luas kumulatif ≤0.05%		Luas kumulatif ≤0.1%
Kawasan Politaip Mengikut Cahaya Intensiti Tinggi			tiada		Luas terkumpul≤3%
Kemasukan Karbon Visual			Luas kumulatif ≤0.05%		Luas kumulatif ≤3%
Calar Permukaan Silikon Oleh Cahaya Intensiti Tinggi			tiada		Panjang kumulatif≤1×diameter wafer
Cip Tepi Tinggi Dengan Keamatan Cahaya			Tiada yang dibenarkan ≥0.2mm lebar dan kedalaman		5 dibenarkan, ≤1 mm setiap satu
Pencemaran Permukaan Silikon Dengan Intensiti Tinggi			tiada
Pembungkusan			Kaset Berbilang Wafer atau Bekas Wafer Tunggal

Nota:

※ Had kecacatan dikenakan pada keseluruhan permukaan wafer kecuali untuk kawasan pengecualian tepi. # Calar hendaklah diperiksa pada muka Si o

Wafer SiC jenis P, 4H/6H-P 3C-N, dengan saiz 6 inci dan ketebalan 350 μm, memainkan peranan penting dalam pengeluaran industri elektronik kuasa berprestasi tinggi. Kekonduksian terma yang sangat baik dan voltan pecahan tinggi menjadikannya sesuai untuk pembuatan komponen seperti suis kuasa, diod dan transistor yang digunakan dalam persekitaran suhu tinggi seperti kenderaan elektrik, grid kuasa dan sistem tenaga boleh diperbaharui. Keupayaan wafer untuk beroperasi dengan cekap dalam keadaan yang teruk memastikan prestasi yang boleh dipercayai dalam aplikasi industri yang memerlukan kepadatan kuasa tinggi dan kecekapan tenaga. Selain itu, orientasi rata utamanya membantu dalam penjajaran yang tepat semasa fabrikasi peranti, meningkatkan kecekapan pengeluaran dan konsistensi produk.

Kelebihan substrat komposit SiC jenis N termasuk

Kekonduksian Terma Tinggi: Wafer SiC jenis-P dengan cekap menghilangkan haba, menjadikannya sesuai untuk aplikasi suhu tinggi.
Voltan Kerosakan Tinggi: Mampu menahan voltan tinggi, memastikan kebolehpercayaan dalam elektronik kuasa dan peranti voltan tinggi.
Rintangan kepada Persekitaran Yang Keras: Ketahanan yang sangat baik dalam keadaan yang melampau, seperti suhu tinggi dan persekitaran yang menghakis.
Penukaran Kuasa yang Cekap: Doping jenis P memudahkan pengendalian kuasa yang cekap, menjadikan wafer sesuai untuk sistem penukaran tenaga.
Orientasi Rata Utama: Memastikan penjajaran tepat semasa pembuatan, meningkatkan ketepatan dan konsistensi peranti.
Struktur Nipis (350 μm): Ketebalan optimum wafer menyokong integrasi ke dalam peranti elektronik termaju dan terhad ruang.

Secara keseluruhannya, wafer SiC jenis P, 4H/6H-P 3C-N, menawarkan pelbagai kelebihan yang menjadikannya sangat sesuai untuk aplikasi industri dan elektronik. Kekonduksian haba yang tinggi dan voltan pecahan membolehkan operasi yang boleh dipercayai dalam persekitaran suhu tinggi dan voltan tinggi, manakala ketahanannya terhadap keadaan yang keras memastikan ketahanan. Doping jenis P membolehkan penukaran kuasa yang cekap, menjadikannya ideal untuk elektronik kuasa dan sistem tenaga. Selain itu, orientasi rata utama wafer memastikan penjajaran yang tepat semasa proses pembuatan, meningkatkan konsistensi pengeluaran. Dengan ketebalan 350 μm, ia sangat sesuai untuk penyepaduan ke dalam peranti canggih dan padat.