Wafer SiC jenis-P 4H/6H-P 3C-N Ketebalan 6 inci 350 μm dengan Orientasi Rata Utama
Spesifikasi Substrat Komposit SiC Jenis 4H/6H-P Jadual parameter biasa
6 Substrat Silikon Karbida (SiC) berdiameter inci Spesifikasi
| Gred | Pengeluaran MPD SifarGred (Z) Gred) | Pengeluaran StandardGred (P Gred) | Gred Dummy (D Gred) | ||
| Diameter | 145.5 mm~150.0 mm | ||||
| Ketebalan | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientasi Wafer | -Offpaksi: 2.0°-4.0° ke arah [1120] ± 0.5° untuk 4H/6H-P, Pada paksi:〈111〉± 0.5° untuk 3C-N | ||||
| Ketumpatan Mikropaip | 0 cm-2 | ||||
| Kerintangan | jenis-p 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏcm | ≤0.3 Ωꞏcm | ||
| jenis-n 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientasi Rata Utama | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| Panjang Rata Utama | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||||
| Panjang Rata Sekunder | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||
| Orientasi Rata Sekunder | Sudut silikon ke atas: 90° CW. dari kedudukan rata Prime ± 5.0° | ||||
| Pengecualian Tepi | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Busur/Lingkup | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Kekasaran | Poland Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Retakan Tepi Oleh Cahaya Keamatan Tinggi | Tiada | Panjang kumulatif ≤ 10 mm, panjang tunggal ≤2 mm | |||
| Plat Hex Dengan Cahaya Intensiti Tinggi | Kawasan kumulatif ≤0.05% | Kawasan kumulatif ≤0.1% | |||
| Kawasan Politaip Dengan Cahaya Intensiti Tinggi | Tiada | Kawasan kumulatif ≤3% | |||
| Kemasukan Karbon Visual | Kawasan kumulatif ≤0.05% | Kawasan kumulatif ≤3% | |||
| Calar Permukaan Silikon Oleh Cahaya Keamatan Tinggi | Tiada | Panjang kumulatif ≤1 × diameter wafer | |||
| Cip Tepi Tinggi Dengan Cahaya Intensiti | Tiada yang dibenarkan lebar dan kedalaman ≥0.2mm | 5 dibenarkan, ≤1 mm setiap satu | |||
| Pencemaran Permukaan Silikon Dengan Keamatan Tinggi | Tiada | ||||
| Pembungkusan | Kaset berbilang wafer atau bekas wafer tunggal | ||||
Nota:
※ Had kecacatan dikenakan pada keseluruhan permukaan wafer kecuali kawasan pengecualian tepi. # Calar hendaklah diperiksa pada permukaan Si
Wafer SiC jenis-P, 4H/6H-P 3C-N, dengan saiz 6 inci dan ketebalan 350 μm, memainkan peranan penting dalam pengeluaran perindustrian elektronik kuasa berprestasi tinggi. Kekonduksian terma yang sangat baik dan voltan kerosakan yang tinggi menjadikannya sesuai untuk pembuatan komponen seperti suis kuasa, diod dan transistor yang digunakan dalam persekitaran suhu tinggi seperti kenderaan elektrik, grid kuasa dan sistem tenaga boleh diperbaharui. Keupayaan wafer untuk beroperasi dengan cekap dalam keadaan yang keras memastikan prestasi yang andal dalam aplikasi perindustrian yang memerlukan ketumpatan kuasa dan kecekapan tenaga yang tinggi. Di samping itu, orientasi rata utamanya membantu dalam penjajaran yang tepat semasa fabrikasi peranti, meningkatkan kecekapan pengeluaran dan konsistensi produk.
Kelebihan substrat komposit SiC jenis-N termasuk
- Kekonduksian Terma TinggiWafer SiC jenis-P menghilangkan haba dengan cekap, menjadikannya sesuai untuk aplikasi suhu tinggi.
- Voltan Kerosakan TinggiMampu menahan voltan tinggi, memastikan kebolehpercayaan dalam elektronik kuasa dan peranti voltan tinggi.
- Rintangan terhadap Persekitaran yang KerasKetahanan yang sangat baik dalam keadaan ekstrem, seperti suhu tinggi dan persekitaran yang menghakis.
- Penukaran Kuasa yang CekapDoping jenis-P memudahkan pengendalian kuasa yang cekap, menjadikan wafer sesuai untuk sistem penukaran tenaga.
- Orientasi Rata UtamaMemastikan penjajaran yang tepat semasa pembuatan, meningkatkan ketepatan dan konsistensi peranti.
- Struktur Nipis (350 μm)Ketebalan optimum wafer menyokong penyepaduan ke dalam peranti elektronik canggih yang terhad ruang.
Secara keseluruhan, wafer SiC jenis-P, 4H/6H-P 3C-N, menawarkan pelbagai kelebihan yang menjadikannya sangat sesuai untuk aplikasi perindustrian dan elektronik. Kekonduksian terma dan voltan kerosakannya yang tinggi membolehkan operasi yang andal dalam persekitaran suhu tinggi dan voltan tinggi, manakala rintangannya terhadap keadaan yang keras memastikan ketahanan. Doping jenis-P membolehkan penukaran kuasa yang cekap, menjadikannya sesuai untuk elektronik kuasa dan sistem tenaga. Di samping itu, orientasi rata utama wafer memastikan penjajaran yang tepat semasa proses pembuatan, meningkatkan konsistensi pengeluaran. Dengan ketebalan 350 μm, ia sangat sesuai untuk penyepaduan ke dalam peranti padat yang canggih.
Gambarajah Terperinci
