Produk
-
3 inci 76.2mm 4H-Semi SiC wafer substrat Silicon Carbide Wafer SiC separa menghina
-
Wafer SiC Silicon Carbide 2 inci 50.8mm Doped Si N-jenis Penyelidikan Pengeluaran dan gred Dummy
-
2 inci 50.8mm Sapphire Wafer C-Pesawat M-satah R-satah A-satah
-
Ketepatan tinggi Dia50.8x1mmt Tingkap Sapphire Rintangan suhu tinggi dan kekerasan tinggi
-
Ketepatan tinggi Dia50.8x1mmt Tingkap Sapphire Rintangan suhu tinggi dan kekerasan tinggi
-
EFG CZ KY batang tiub nilam Al2O3 99.999% nilam kristal tunggal
-
Tiub ketepatan nilam Batang crysatl tunggal Al2O3 99.999% untuk bekas bekas bertempur tinggi
-
Tiub Nilam Batang nilam bentuk khas KY dan EFG tekanan tinggi
-
GaN-On-Sapphire 6 inci
-
Lubang Langkah Dia25.4×2.0mmt Tingkap kanta optik nilam
-
Kotak pembawa wafer tunggal 2 inci 50.8mm PC dan PP
-
Elemen optik tingkap nilam bersalut spesifikasi berbilang saiz Tingkap inframerah optik