Lengan penyerahan efektor hujung seramik SiC untuk pembawa wafer

Lengan penyerahan efektor hujung seramik SiC untuk membawa wafer Imej Pilihan

Penerangan ringkas:

Wafer LiNbO₃ mewakili piawaian emas dalam fotonik bersepadu dan akustik ketepatan, memberikan prestasi yang tiada tandingan dalam sistem optoelektronik moden. Sebagai pengeluar terkemuka, kami telah menyempurnakan seni menghasilkan substrat kejuruteraan ini melalui teknik penyeimbangan pengangkutan wap termaju, mencapai kesempurnaan kristal terkemuka industri dengan ketumpatan kecacatan di bawah 50/cm².

Keupayaan pengeluaran XKH menjangkau diameter dari 75mm hingga 150mm, dengan kawalan orientasi yang tepat (potongan X/Y/Z ±0.3°) dan pilihan doping khusus termasuk unsur nadir bumi. Gabungan unik sifat dalam Wafer LiNbO₃ – termasuk pekali r₃₃ yang luar biasa (32±2 ptg/V) dan ketelusan luas dari dekat-UV hingga pertengahan IR – menjadikannya amat diperlukan untuk litar fotonik generasi seterusnya dan peranti akustik frekuensi tinggi.

Hantar e-mel kepada kami

Ciri-ciri

Pengesan hujung seramik SiC Abstrak

Efektor akhir seramik SiC (Silicon Carbide) ialah komponen kritikal dalam sistem pengendalian wafer ketepatan tinggi yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor dan persekitaran mikrofabrikasi termaju. Direkayasa untuk memenuhi keperluan menuntut persekitaran ultra-bersih, suhu tinggi dan sangat stabil, kesan akhir khusus ini memastikan pengangkutan wafer yang boleh dipercayai dan bebas pencemaran semasa langkah-langkah pengeluaran utama seperti litografi, etsa dan pemendapan.

Memanfaatkan sifat bahan unggul silikon karbida—seperti kekonduksian terma yang tinggi, kekerasan melampau, lengai kimia yang sangat baik dan pengembangan haba yang minimum—pengefektor akhir seramik SiC menawarkan kekukuhan mekanikal yang tiada tandingan dan kestabilan dimensi walaupun di bawah kitaran haba yang pantas atau dalam ruang proses yang menghakis. Ciri-ciri penjanaan zarah yang rendah dan rintangan plasma menjadikannya sangat sesuai untuk aplikasi pemprosesan bilik bersih dan vakum, di mana mengekalkan integriti permukaan wafer dan mengurangkan pencemaran zarah adalah yang paling penting.

Aplikasi pengesan akhir seramik SiC

1. Pengendalian Wafer Semikonduktor

Pengesan akhir seramik SiC digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor untuk mengendalikan wafer silikon semasa pengeluaran automatik. Pengesan akhir ini biasanya dipasang pada lengan robot atau sistem pemindahan vakum dan direka bentuk untuk menampung wafer pelbagai saiz seperti 200mm dan 300mm. Ia adalah penting dalam proses termasuk Pemendapan Wap Kimia (CVD), Pemendapan Wap Fizikal (PVD), goresan dan resapan—di mana suhu tinggi, keadaan vakum dan gas menghakis adalah perkara biasa. Rintangan haba yang luar biasa dan kestabilan kimia SiC menjadikannya bahan yang ideal untuk menahan persekitaran yang keras tanpa degradasi.

2. Keserasian Bilik Bersih dan Vakum

Dalam tetapan bilik bersih dan vakum, di mana pencemaran zarah mesti diminimumkan, seramik SiC menawarkan kelebihan yang ketara. Permukaan bahan yang padat dan licin menahan penjanaan zarah, membantu mengekalkan integriti wafer semasa pengangkutan. Ini menjadikan pengesan akhir SiC amat sesuai untuk proses kritikal seperti Extreme Ultraviolet Lithography (EUV) dan Atomic Layer Deposition (ALD), di mana kebersihan adalah penting. Tambahan pula, gas keluar SiC yang rendah dan rintangan plasma yang tinggi memastikan prestasi yang boleh dipercayai dalam ruang vakum, memanjangkan jangka hayat alatan dan mengurangkan kekerapan penyelenggaraan.

3. Sistem Kedudukan Ketepatan Tinggi

Ketepatan dan kestabilan adalah penting dalam sistem pengendalian wafer termaju, terutamanya dalam peralatan metrologi, pemeriksaan dan penjajaran. Seramik SiC mempunyai pekali pengembangan terma yang sangat rendah dan kekakuan yang tinggi, yang membolehkan pengesan akhir mengekalkan ketepatan strukturnya walaupun di bawah kitaran haba atau beban mekanikal. Ini memastikan wafer kekal sejajar dengan tepat semasa pengangkutan, meminimumkan risiko calar mikro, salah jajaran atau ralat pengukuran—faktor yang semakin kritikal pada nod proses sub-5nm.

Sifat pengesan hujung seramik SiC

1. Kekuatan Mekanikal yang Tinggi dan Kekerasan

Seramik SiC mempunyai kekuatan mekanikal yang luar biasa, dengan kekuatan lentur selalunya melebihi 400 MPa dan nilai kekerasan Vickers melebihi 2000 HV. Ini menjadikan mereka sangat tahan terhadap tekanan mekanikal, hentaman dan haus, walaupun selepas penggunaan operasi yang berpanjangan. Ketegaran tinggi SiC juga meminimumkan pesongan semasa pemindahan wafer berkelajuan tinggi, memastikan kedudukan yang tepat dan boleh berulang.

2. Kestabilan Terma Cemerlang

Salah satu sifat seramik SiC yang paling berharga ialah keupayaannya untuk menahan suhu yang sangat tinggi—selalunya sehingga 1600°C dalam atmosfera lengai—tanpa kehilangan integriti mekanikal. Pekali pengembangan haba yang rendah (~4.0 x 10⁻⁶ /K) memastikan kestabilan dimensi di bawah kitaran haba, menjadikannya sesuai untuk aplikasi seperti CVD, PVD dan penyepuhlindapan suhu tinggi.

Soal Jawab Pengesan hujung seramik SiC

S： Apakah bahan yang digunakan dalam pengesan akhir wafer?

A：Pengesan akhir wafer biasanya dibuat daripada bahan yang menawarkan kekuatan tinggi, kestabilan haba dan penjanaan zarah yang rendah. Antaranya, seramik Silicon Carbide (SiC) adalah salah satu bahan yang paling canggih dan pilihan. Seramik SiC sangat keras, stabil dari segi haba, lengai secara kimia dan tahan haus, menjadikannya sesuai untuk mengendalikan wafer silikon yang halus dalam persekitaran bilik bersih dan vakum. Berbanding dengan kuarza atau logam bersalut, SiC menawarkan kestabilan dimensi yang unggul di bawah suhu tinggi dan tidak menumpahkan zarah, yang membantu mencegah pencemaran.