Plat/dulang seramik SiC untuk pemegang wafer 4 inci 6 inci untuk ICP
Plat seramik SiC Abstrak
Plat seramik SiC ialah komponen berprestasi tinggi yang direka bentuk daripada Silicon Carbide ketulenan tinggi, direka untuk digunakan dalam persekitaran terma, kimia dan mekanikal yang melampau. Terkenal dengan kekerasan yang luar biasa, kekonduksian terma dan rintangan kakisan, plat SiC digunakan secara meluas sebagai pembawa wafer, susceptor atau komponen struktur dalam industri semikonduktor, LED, fotovoltaik dan aeroangkasa.
Dengan kestabilan haba yang luar biasa sehingga 1600°C dan rintangan yang sangat baik terhadap gas reaktif dan persekitaran plasma, plat SiC memastikan prestasi yang konsisten semasa proses etsa, pemendapan dan resapan suhu tinggi. Struktur mikronya yang padat dan tidak berliang meminimumkan penjanaan zarah, menjadikannya ideal untuk aplikasi ultra-bersih dalam tetapan vakum atau bilik bersih.
Aplikasi plat seramik SiC
1. Pembuatan Semikonduktor
Plat seramik SiC biasanya digunakan sebagai pembawa wafer, susceptor, dan plat alas dalam peralatan fabrikasi semikonduktor seperti CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition), dan sistem etsa. Kekonduksian haba yang sangat baik dan pengembangan haba yang rendah membolehkan mereka mengekalkan pengedaran suhu seragam, yang penting untuk pemprosesan wafer berketepatan tinggi. Rintangan SiC terhadap gas dan plasma menghakis memastikan ketahanan dalam persekitaran yang keras, membantu mengurangkan pencemaran zarah dan penyelenggaraan peralatan.
2. Industri LED – ICP Etching
Dalam sektor pembuatan LED, plat SiC adalah komponen utama dalam sistem etsa ICP (Inductively Coupled Plasma). Bertindak sebagai pemegang wafer, mereka menyediakan platform yang stabil dan tahan haba untuk menyokong wafer nilam atau GaN semasa pemprosesan plasma. Rintangan plasma yang sangat baik, kerataan permukaan dan kestabilan dimensi membantu memastikan ketepatan dan keseragaman goresan yang tinggi, yang membawa kepada peningkatan hasil dan prestasi peranti dalam cip LED.
3. Fotovoltaik (PV) dan Tenaga Suria
Plat seramik SiC juga digunakan dalam pengeluaran sel suria, terutamanya semasa langkah pensinteran dan penyepuhlindapan suhu tinggi. Lengai mereka pada suhu tinggi dan keupayaan untuk menahan meleding memastikan pemprosesan wafer silikon yang konsisten. Selain itu, risiko pencemaran yang rendah adalah penting untuk mengekalkan kecekapan sel fotovoltaik.
Sifat plat seramik SiC
1. Kekuatan dan Kekerasan Mekanikal yang Luar Biasa
Plat seramik SiC mempamerkan kekuatan mekanikal yang sangat tinggi, dengan kekuatan lentur yang tipikal melebihi 400 MPa dan kekerasan Vickers mencapai >2000 HV. Ini menjadikan mereka sangat tahan terhadap haus mekanikal, lelasan dan ubah bentuk, memastikan hayat perkhidmatan yang panjang walaupun di bawah beban tinggi atau kitaran haba berulang.
2. Kekonduksian Terma Tinggi
SiC mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik (biasanya 120–200 W/m·K), membolehkannya mengagihkan haba secara sama rata ke seluruh permukaannya. Sifat ini penting dalam proses seperti pengetsaan wafer, pemendapan atau pensinteran, di mana keseragaman suhu secara langsung mempengaruhi hasil dan kualiti produk.
3. Kestabilan Terma Unggul
Dengan takat lebur yang tinggi (2700°C) dan pekali pengembangan terma yang rendah (4.0 × 10⁻⁶/K), plat seramik SiC mengekalkan ketepatan dimensi dan integriti struktur di bawah kitaran pemanasan dan penyejukan yang pantas. Ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalam relau suhu tinggi, ruang vakum dan persekitaran plasma.
| Sifat Teknikal | ||||
| Indeks | Unit | Nilai | ||
| Nama Bahan | Tindak balas Sintered Silicon Carbide | Silikon Karbida Tersinter Tanpa Tekanan | Karbida Silikon Terhablur Semula | |
| Komposisi | RBSiC | SSiC | R-SiC | |
| Ketumpatan Pukal | g/cm3 | 3 | 3.15 ± 0.03 | 2.60-2.70 |
| Kekuatan lentur | MPa (kpsi) | 338(49) | 380(55) | 80-90 (20°C) 90-100(1400°C) |
| Kekuatan Mampatan | MPa (kpsi) | 1120(158) | 3970(560) | > 600 |
| Kekerasan | Knoop | 2700 | 2800 | / |
| Memecah Ketabahan | MPa m1/2 | 4.5 | 4 | / |
| Kekonduksian Terma | W/mk | 95 | 120 | 23 |
| Pekali Pengembangan Terma | 10-6.1/°C | 5 | 4 | 4.7 |
| Haba Tertentu | Joule/g 0k | 0.8 | 0.67 | / |
| Suhu maksimum dalam udara | ℃ | 1200 | 1500 | 1600 |
| Modulus Elastik | Gpa | 360 | 410 | 240 |
Soal Jawab plat seramik SiC
S： Apakah sifat plat silikon karbida?
A： Plat silikon karbida (SiC) terkenal dengan kekuatan, kekerasan dan kestabilan terma yang tinggi. Mereka menawarkan kekonduksian terma yang sangat baik dan pengembangan haba yang rendah, memastikan prestasi yang boleh dipercayai di bawah suhu yang melampau. SiC juga lengai secara kimia, tahan terhadap asid, alkali dan persekitaran plasma, menjadikannya sesuai untuk pemprosesan semikonduktor dan LED. Permukaannya yang padat dan licin meminimumkan penjanaan zarah, mengekalkan keserasian bilik bersih. Plat SiC digunakan secara meluas sebagai pembawa wafer, susceptor, dan komponen sokongan dalam persekitaran suhu tinggi dan menghakis merentas industri semikonduktor, fotovoltaik dan aeroangkasa.
