Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Penebat Separuh ketulenan tinggi ） 4H/6H-P 3C -n jenis 2 3 4 6 8 inci tersedia

SiC silikon karbida wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI（Ketulenan tinggi Separa Penebat ） 4H/6H-P 3C -n jenis 2 3 4 6 8 inci tersedia Imej Pilihan

Penerangan ringkas:

Kami menawarkan pelbagai pilihan wafer SiC (Silicon Carbide) berkualiti tinggi, dengan tumpuan khusus pada wafer 4H-N dan 6H-N jenis N, yang sesuai untuk aplikasi dalam optoelektronik termaju, peranti kuasa dan persekitaran suhu tinggi . Wafer jenis N ini terkenal dengan kekonduksian terma yang luar biasa, kestabilan elektrik yang luar biasa dan ketahanan yang luar biasa, menjadikannya sempurna untuk aplikasi berprestasi tinggi seperti elektronik kuasa, sistem pemanduan kenderaan elektrik, penyongsang tenaga boleh diperbaharui dan bekalan kuasa industri. Sebagai tambahan kepada tawaran jenis-N kami, kami juga menyediakan wafer SiC jenis P 4H/6H-P dan 3C untuk keperluan khusus, termasuk peranti frekuensi tinggi dan RF, serta aplikasi fotonik. Wafer kami tersedia dalam saiz antara 2 inci hingga 8 inci, dan kami menyediakan penyelesaian yang disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus pelbagai sektor perindustrian. Untuk butiran lanjut atau pertanyaan, sila hubungi kami.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Hartanah

4H-N dan 6H-N (Wafer SiC jenis N)

Permohonan:Terutamanya digunakan dalam elektronik kuasa, optoelektronik dan aplikasi suhu tinggi.

Julat Diameter:50.8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm, dengan ketebalan pilihan 500 μm ± 25 μm.

Kerintangan:N-jenis 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (gred Z), ≤ 0.3 Ω·cm (gred P); N-jenis 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (gred Z), ≤ 1 mΩ·cm (gred P).

Kekasaran:Ra ≤ 0.2 nm (CMP atau MP).

Ketumpatan Mikropaip (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm untuk semua diameter.

meledingkan: ≤ 30 μm (≤ 45 μm untuk wafer 8 inci).

Pengecualian Edge:3 mm hingga 6 mm bergantung pada jenis wafer.

Pembungkusan:Kaset berbilang wafer atau bekas wafer tunggal.

Ohter available saiz 3inch 4inch 6inch 8inch

HPSI (Wafer SiC Separa Penebat Ketulenan Tinggi)

Permohonan:Digunakan untuk peranti yang memerlukan rintangan tinggi dan prestasi yang stabil, seperti peranti RF, aplikasi fotonik dan penderia.

Julat Diameter:50.8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:Ketebalan standard 350 μm ± 25 μm dengan pilihan untuk wafer yang lebih tebal sehingga 500 μm.

Kekasaran:Ra ≤ 0.2 nm.

Ketumpatan Mikropaip (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Kerintangan:Rintangan tinggi, biasanya digunakan dalam aplikasi separa penebat.

meledingkan: ≤ 30 μm (untuk saiz yang lebih kecil), ≤ 45 μm untuk diameter yang lebih besar.

TTV: ≤ 10 μm.

Ohter available saiz 3inch 4inch 6inch 8inch

4H-P、6H-P&3C wafer SiC(Wafer SiC jenis P)

Permohonan:Terutamanya untuk peranti kuasa dan frekuensi tinggi.

Julat Diameter:50.8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm atau pilihan tersuai.

Kerintangan:P-jenis 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (gred Z), ≤ 0.3 Ω·cm (gred P).

Kekasaran:Ra ≤ 0.2 nm (CMP atau MP).

Ketumpatan Mikropaip (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Pengecualian Edge:3 mm hingga 6 mm.

meledingkan: ≤ 30 μm untuk saiz yang lebih kecil, ≤ 45 μm untuk saiz yang lebih besar.

Ohter available saiz 3inch 4inch 6inch5×5 10×10

Jadual Parameter Data Separa

Harta benda	2 inci		3 inci		4 inci	6 inci	8 inci
taip	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diameter	50.8 ± 0.3 mm		76.2±0.3mm		100±0.3mm	150±0.3mm	200 ± 0.3 mm
Ketebalan	330 ± 25 um		350 ±25 um		350 ±25 um	350 ±25 um	350 ±25 um
	350±25um；		500±25um		500±25um	500±25um	500±25um
	atau disesuaikan		atau disesuaikan		atau disesuaikan	atau disesuaikan	atau disesuaikan
Kekasaran	Ra ≤ 0.2nm		Ra ≤ 0.2nm		Ra ≤ 0.2nm	Ra ≤ 0.2nm	Ra ≤ 0.2nm
meledingkan	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Gores/Korek	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
bentuk	Bulat, Rata 16mm; panjang 22mm; OF Panjang 30/32.5mm; OF Panjang47.5mm; NOTCH; NOTCH;
Serong	45°, Spesifikasi SEMI; C Bentuk
Gred	Gred pengeluaran untuk MOS&SBD; Gred penyelidikan ; Gred dummy, Gred wafer benih
Teguran	Diameter, Ketebalan, Orientasi, spesifikasi di atas boleh disesuaikan atas permintaan anda

Aplikasi

·Elektronik Kuasa

Wafer SiC jenis N adalah penting dalam peranti elektronik kuasa kerana keupayaannya untuk mengendalikan voltan tinggi dan arus tinggi. Ia biasanya digunakan dalam penukar kuasa, penyongsang dan pemacu motor untuk industri seperti tenaga boleh diperbaharui, kenderaan elektrik dan automasi industri.

· Optoelektronik
Bahan SiC jenis N, terutamanya untuk aplikasi optoelektronik, digunakan dalam peranti seperti diod pemancar cahaya (LED) dan diod laser. Kekonduksian terma yang tinggi dan jurang jalur lebar menjadikannya sesuai untuk peranti optoelektronik berprestasi tinggi.

·Aplikasi Suhu Tinggi
Wafer SiC 4H-N 6H-N sangat sesuai untuk persekitaran suhu tinggi, seperti dalam penderia dan peranti kuasa yang digunakan dalam aeroangkasa, automotif dan aplikasi perindustrian di mana pelesapan haba dan kestabilan pada suhu tinggi adalah kritikal.

·Peranti RF
Wafer SiC 4H-N 6H-N digunakan dalam peranti frekuensi radio (RF) yang beroperasi dalam julat frekuensi tinggi. Ia digunakan dalam sistem komunikasi, teknologi radar dan komunikasi satelit, di mana kecekapan dan prestasi kuasa tinggi diperlukan.

·Aplikasi Fotonik
Dalam fotonik, wafer SiC digunakan untuk peranti seperti pengesan foto dan modulator. Sifat unik bahan membolehkan ia berkesan dalam penjanaan cahaya, modulasi dan pengesanan dalam sistem komunikasi optik dan peranti pengimejan.

·Penderia
Wafer SiC digunakan dalam pelbagai aplikasi penderia, terutamanya dalam persekitaran yang keras di mana bahan lain mungkin gagal. Ini termasuk penderia suhu, tekanan dan kimia, yang penting dalam bidang seperti automotif, minyak & gas dan pemantauan alam sekitar.

·Sistem Pemanduan Kenderaan Elektrik
Teknologi SiC memainkan peranan penting dalam kenderaan elektrik dengan meningkatkan kecekapan dan prestasi sistem pemacu. Dengan semikonduktor kuasa SiC, kenderaan elektrik boleh mencapai hayat bateri yang lebih baik, masa pengecasan yang lebih pantas dan kecekapan tenaga yang lebih baik.

·Penderia Termaju dan Penukar Fotonik
Dalam teknologi penderia termaju, wafer SiC digunakan untuk mencipta penderia ketepatan tinggi untuk aplikasi dalam robotik, peranti perubatan dan pemantauan alam sekitar. Dalam penukar fotonik, sifat SiC dieksploitasi untuk membolehkan penukaran tenaga elektrik yang cekap kepada isyarat optik, yang penting dalam telekomunikasi dan infrastruktur internet berkelajuan tinggi.

Soal Jawab

Q：Apakah 4H dalam 4H SiC?
A："4H" dalam 4H SiC merujuk kepada struktur kristal silikon karbida, khususnya bentuk heksagon dengan empat lapisan (H). "H" menunjukkan jenis politaip heksagon, membezakannya daripada politaip SiC lain seperti 6H atau 3C.

Q：Apakah kekonduksian terma 4H-SiC?
A:Kekonduksian terma 4H-SiC (Silicon Carbide) adalah lebih kurang 490-500 W/m·K pada suhu bilik. Kekonduksian haba yang tinggi ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalam elektronik kuasa dan persekitaran suhu tinggi, di mana pelesapan haba yang cekap adalah penting.

Sebelumnya: Pembuatan ketepatan tiub nilam tiub lutsinar Al2O3 kristal tahan haus kekerasan tinggi EFG/KY pelbagai diameter penggilap tersuai

Seterusnya:

Tulis mesej anda di sini dan hantar kepada kami