6 dalam Jongkong Separa Penebat Silicon Carbide 4H-SiC, Gred Dummy

Penerangan ringkas:

Silicon Carbide (SiC) sedang merevolusikan industri semikonduktor, terutamanya dalam aplikasi berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dan tahan sinaran. Jongkong separa penebat 4H-SiC 6 inci, ditawarkan dalam gred tiruan, merupakan bahan penting untuk proses prototaip, penyelidikan dan penentukuran. Dengan jurang jalur yang luas, kekonduksian terma yang sangat baik, dan keteguhan mekanikal, jongkong ini berfungsi sebagai pilihan kos efektif untuk ujian dan pengoptimuman proses tanpa menjejaskan kualiti asas yang diperlukan untuk pembangunan lanjutan. Produk ini memenuhi pelbagai aplikasi, termasuk elektronik kuasa, peranti frekuensi radio (RF) dan optoelektronik, menjadikannya alat yang tidak ternilai untuk industri dan institusi penyelidikan.


Butiran Produk

Tag Produk

Hartanah

1. Sifat Fizikal dan Struktur
●Jenis Bahan: Silicon Carbide (SiC)
●Polytype: 4H-SiC, struktur kristal heksagon
●Diameter: 6 inci (150 mm)
●Ketebalan: Boleh dikonfigurasikan (5-15 mm tipikal untuk gred dummy)
●Orientasi Kristal:
oPrimary: [0001] (satah C)
oPilihan kedua: Luar paksi 4° untuk pertumbuhan epitaxial yang dioptimumkan
●Orientasi Rata Utama: (10-10) ± 5°
●Orientasi Rata Kedua: 90° lawan jam dari rata primer ± 5°

2. Sifat Elektrik
●Kerintangan:
oSepara penebat (>106^66 Ω·cm), sesuai untuk meminimumkan kapasiti parasit.
●Jenis Doping:
oDidop secara tidak sengaja, menghasilkan kerintangan dan kestabilan elektrik yang tinggi di bawah pelbagai keadaan operasi.

3. Sifat Terma
●Konduktiviti Terma: 3.5-4.9 W/cm·K, membolehkan pelesapan haba yang berkesan dalam sistem berkuasa tinggi.
●Pekali Pengembangan Terma: 4.2×10−64.2 \kali 10^{-6}4.2×10−6/K, memastikan kestabilan dimensi semasa pemprosesan suhu tinggi.

4. Sifat Optik
●Jalur jalur: Jurang jalur lebar 3.26 eV, membenarkan operasi di bawah voltan dan suhu tinggi.
●Ketelusan: Ketelusan tinggi kepada UV dan panjang gelombang yang boleh dilihat, berguna untuk ujian optoelektronik.

5. Sifat Mekanikal
●Kekerasan: Skala Mohs 9, kedua selepas berlian, memastikan ketahanan semasa pemprosesan.
●Ketumpatan Kecacatan:
oDikawal untuk kecacatan makro yang minimum, memastikan kualiti yang mencukupi untuk aplikasi gred dummy.
●Kerataan: Keseragaman dengan sisihan

Parameter

Butiran

Unit

Gred Gred Dummy  
Diameter 150.0 ± 0.5 mm
Orientasi Wafer Pada paksi: <0001> ± 0.5° ijazah
Kerintangan Elektrik > 1E5 Ω·cm
Orientasi Rata Utama {10-10} ± 5.0° ijazah
Panjang Rata Utama Takik  
Retak (Pemeriksaan Cahaya Intensiti Tinggi) < 3 mm dalam jejari mm
Plat Hex (Pemeriksaan Cahaya Intensiti Tinggi) Luas terkumpul ≤ 5% %
Kawasan Politaip (Pemeriksaan Cahaya Intensiti Tinggi) Luas terkumpul ≤ 10% %
Ketumpatan Mikropaip < 50 cm−2^-2−2
Cincang Tepi 3 dibenarkan, setiap satu ≤ 3 mm mm
Nota Ketebalan wafer penghirisan < 1 mm, > 70% (tidak termasuk dua hujung) memenuhi keperluan di atas  

Aplikasi

1. Prototaip dan Penyelidikan
Jongkong 4H-SiC gred dummy 6-inci adalah bahan yang sesuai untuk prototaip dan penyelidikan, membolehkan pengilang dan makmal untuk:
●Uji parameter proses dalam Pemendapan Wap Kimia (CVD) atau Pemendapan Wap Fizikal (PVD).
●Membangun dan memperhalusi teknik menggores, menggilap dan menghiris wafer.
●Teroka reka bentuk peranti baharu sebelum beralih kepada bahan gred pengeluaran.

2. Penentukuran dan Pengujian Peranti
Sifat separa penebat menjadikan jongkong ini tidak ternilai untuk:
●Menilai dan menentukur sifat elektrik peranti berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.
●Simulasi keadaan operasi untuk MOSFET, IGBT atau diod dalam persekitaran ujian.
●Berkhidmat sebagai pengganti kos efektif untuk substrat ketulenan tinggi semasa pembangunan peringkat awal.

3. Elektronik Kuasa
Kekonduksian terma yang tinggi dan ciri-ciri jurang jalur lebar 4H-SiC membolehkan operasi yang cekap dalam elektronik kuasa, termasuk:
●Bekalan kuasa voltan tinggi.
●Penyongsang kenderaan elektrik (EV).
●Sistem tenaga boleh diperbaharui, seperti penyongsang suria dan turbin angin.

4. Aplikasi Frekuensi Radio (RF).
Kehilangan dielektrik rendah 4H-SiC dan mobiliti elektron yang tinggi menjadikannya sesuai untuk:
●Penguat RF dan transistor dalam infrastruktur komunikasi.
●Sistem radar frekuensi tinggi untuk aplikasi aeroangkasa dan pertahanan.
●Komponen rangkaian wayarles untuk teknologi 5G yang baru muncul.

5. Peranti Tahan Sinaran
Oleh kerana rintangan yang wujud terhadap kecacatan akibat sinaran, 4H-SiC separa penebat adalah sesuai untuk:
●Peralatan penerokaan angkasa lepas, termasuk elektronik satelit dan sistem kuasa.
●Elektronik yang dikeraskan sinaran untuk pemantauan dan kawalan nuklear.
●Aplikasi pertahanan yang memerlukan keteguhan dalam persekitaran yang melampau.

6. Optoelektronik
Ketelusan optik dan jurang jalur lebar 4H-SiC membolehkan penggunaannya dalam:
●Pengesan foto UV dan LED berkuasa tinggi.
●Menguji salutan optik dan rawatan permukaan.
●Prototaip komponen optik untuk penderia lanjutan.

Kelebihan Bahan Dummy-Gred

Kecekapan Kos:
Gred dummy ialah alternatif yang lebih berpatutan untuk penyelidikan atau bahan gred pengeluaran, menjadikannya sesuai untuk ujian rutin dan penghalusan proses.

Kebolehubahsuaian:
Dimensi dan orientasi kristal yang boleh dikonfigurasikan memastikan keserasian dengan pelbagai aplikasi.

Kebolehskalaan:
Diameter 6 inci sejajar dengan piawaian industri, membolehkan penskalaan lancar kepada proses gred pengeluaran.

Kekukuhan:
Kekuatan mekanikal yang tinggi dan kestabilan terma menjadikan jongkong tahan lama dan boleh dipercayai dalam keadaan eksperimen yang berbeza-beza.

serba boleh:
Sesuai untuk pelbagai industri, daripada sistem tenaga kepada komunikasi dan optoelektronik.

Kesimpulan

Jongkong separa penebat Silicon Carbide (4H-SiC) 6-inci, gred tiruan, menawarkan platform yang boleh dipercayai dan serba boleh untuk penyelidikan, prototaip dan ujian dalam sektor teknologi termaju. Sifat terma, elektrik dan mekanikalnya yang luar biasa, digabungkan dengan keterjangkauan dan kebolehsesuaian, menjadikannya bahan yang sangat diperlukan untuk kedua-dua akademik dan industri. Daripada elektronik kuasa kepada sistem RF dan peranti keras sinaran, jongkong ini menyokong inovasi pada setiap peringkat pembangunan.
Untuk spesifikasi yang lebih terperinci atau untuk meminta sebut harga, sila hubungi kami terus. Pasukan teknikal kami sedia membantu dengan penyelesaian yang disesuaikan untuk memenuhi keperluan anda.

Gambarajah Terperinci

SiC Ingot06
SiC Jongkong12
SiC Ingot05
SiC Jongkong10

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Tulis mesej anda di sini dan hantarkan kepada kami